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公开(公告)号：CN102201498B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110128165.3
申请日：2011-05-18
申请人： 东华大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种Cu2ZnSnS4纳米晶薄膜太阳能电池的制备方法，包括：以镀钼的金属铝为柔性衬底，以亲水性Cu2ZnSnS4纳米晶制备的薄膜为吸收层，化学浴沉积ZnS薄膜为缓冲层，然后通过磁控溅射本征ZnO、ITO以及Ni-Al电极来组装太阳能能电池。本发明无需真空设备，降低了生产成本，便于规模化生成，制备Cu2ZnSnS4太阳能电池所使用的原料均为环境友好材料，且价格便宜，极大限度的降低了太阳能电池的成本，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102703873A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210180294.1
申请日：2012-06-02
申请人： 东华大学
摘要： 本发明提供了一种极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法，其特征在于：该方法分为以下2个步骤，步骤1：利用磁控溅射镀膜仪的金属钒靶对Al2O3基片进行直流溅射，制备金属钒薄膜；步骤2：将金属钒薄膜置于快速退火炉内进行氧化处理，再将氧化后的金属钒薄膜取出并置于空气中自然冷却，获得多晶VO2薄膜。本发明提供的极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法简单易行、重复性好，通过扫描电子显微镜和四探针测试仪分析表明，所制备的VO2薄膜具有纳米片状结构，其回滞曲线宽度仅有0.4℃左右，几乎重合，且具有很高的TCR。
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公开(公告)号：CN102540308A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210008052.4
申请日：2012-01-12
申请人： 东华大学
摘要： 本发明提供了一种温度敏感窄带通滤光片，其特征在于：它首次将二氧化钒薄膜作为微腔层构建其中，包括由上至下依次层叠的顶层有序薄膜系、缺陷层薄膜和底层有序薄膜系，其中，缺陷层薄膜为二氧化钒薄膜，顶层有序薄膜系与底层有序薄膜系的层叠结构以缺陷层薄膜为对称轴上下对称分布。本发明膜系可应用于针对某一窄带宽范围，可规避其他波段光线的干扰，并且大大提高了滤光片的使用时效。与传统介质滤光片相比，本发明膜系具有对温度敏感这一特点。经过对两边对称膜系厚度及缺陷层厚度设计，可将对称膜系厚度减薄，从而在工艺上减少了加工时间。
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公开(公告)号：CN102201498A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110128165.3
申请日：2011-05-18
申请人： 东华大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种Cu2ZnSnS4纳米晶薄膜太阳能电池的制备方法，包括：以镀钼的金属铝为柔性衬底，以亲水性Cu2ZnSnS4纳米晶制备的薄膜为吸收层，化学浴沉积ZnS薄膜为缓冲层，然后通过磁控溅射本征ZnO、ITO以及Ni-Al电极来组装太阳能能电池。本发明无需真空设备，降低了生产成本，便于规模化生成，制备Cu2ZnSnS4太阳能电池所使用的原料均为环境友好材料，且价格便宜，极大限度的降低了太阳能电池的成本，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102540308B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210008052.4
申请日：2012-01-12
申请人： 东华大学
摘要： 本发明提供了一种温度敏感窄带通滤光片，其特征在于：它首次将二氧化钒薄膜作为微腔层构建其中，包括由上至下依次层叠的顶层有序薄膜系、缺陷层薄膜和底层有序薄膜系，其中，缺陷层薄膜为二氧化钒薄膜，顶层有序薄膜系与底层有序薄膜系的层叠结构以缺陷层薄膜为对称轴上下对称分布。本发明膜系可应用于针对某一窄带宽范围，可规避其他波段光线的干扰，并且大大提高了滤光片的使用时效。与传统介质滤光片相比，本发明膜系具有对温度敏感这一特点。经过对两边对称膜系厚度及缺陷层厚度设计，可将对称膜系厚度减薄，从而在工艺上减少了加工时间。
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公开(公告)号：CN109457229A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811582089.1
申请日：2018-12-24
申请人： 东华大学
摘要： 本发明涉及一种硅基二氧化钒薄膜及其制备和应用，包括：n型重掺杂硅衬底上使用磁控溅射法制备金属钒薄膜，得到硅基金属钒薄膜；将上述硅基金属钒薄膜在空气中进行氧化处理，冷却；然后再进行还原处理，冷却，即得。本发明提供的一种降低电控硅基二氧化钒薄膜微纳尺度相变开启电压的方法简单且容易操作，且具有极高的重复性，可广泛用于VO2薄膜器件的性能改善。
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公开(公告)号：CN102539927A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110417155.1
申请日：2011-12-14
申请人： 东华大学
摘要： 本发明的技术方案提供了一种温度可调控四探针方块电阻及电阻率的测试方法，所述测试方法包括以下步骤：将温度可调控四探针方块电阻测试系统的线路连接完毕，主机接上电源并预热5至10分钟；根据需要在主机面板上选择合适的电流档位，并选择测量样品的电阻率或者方块电阻；将待测样品放置在四探针测试平台的基座上，将热电偶与温度测试仪连接好，并使热电偶与待测样品表面接触，然后压下四探针；启动电炉丝加热装置，调节加热速率，使用热电偶与温度测试仪测量样品的温度；查询参数C，然后输入C的值；调节完毕后，继续查看温度测试仪，当温度达到要求时，记录下显示器中的数据，即为样品在该温度下的电阻率或者方块电阻。
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公开(公告)号：CN110284104A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910537089.8
申请日：2019-06-20
申请人： 东华大学
摘要： 本发明公开了一种超薄二氧化钒薄膜的简易制备方法，其特征在于，利用磁控溅射镀膜仪溅射金属钒靶，通过控制溅射时间在蓝宝石基底上镀膜，得到金属钒薄膜；将金属钒薄膜置于快速退火炉内，然后在氩气和空气混合气体氛围下进行氧化处理，再将氧化后的薄膜取出并在空气中自然冷却，获得超薄二氧化钒薄膜。本发明操作简单、重复性高、制备的薄膜质量好，通过透射电子显微镜、原子力显微镜、四探针测试仪和光谱测试分析表明，所制备的超薄二氧化钒薄膜具有结晶度高、表面光滑、电阻变化明显以及可见光区域透过率较高等特性。
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公开(公告)号：CN109487338A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811583090.6
申请日：2018-12-24
申请人： 东华大学
摘要： 本发明涉及一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法，包括：在c-Al2O3衬底上磁控溅射金属钒薄膜；然后在空气中进行氧化处理，自然冷却，即得。本发明制备的二氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达4.6个数量级，并且薄膜结晶取向为(020)单晶取向。本发明提供了一种单晶二氧化钒薄膜的简单制备方法，且能与其它半导体工艺相互兼容。
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