公开(公告)号：CN109457229A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811582089.1

申请日：2018-12-24

申请人： 东华大学

发明人： 徐晓峰 ,  蒙奕帆 ,  桑景新

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  H01L45/00

摘要： 本发明涉及一种硅基二氧化钒薄膜及其制备和应用，包括：n型重掺杂硅衬底上使用磁控溅射法制备金属钒薄膜，得到硅基金属钒薄膜；将上述硅基金属钒薄膜在空气中进行氧化处理，冷却；然后再进行还原处理，冷却，即得。本发明提供的一种降低电控硅基二氧化钒薄膜微纳尺度相变开启电压的方法简单且容易操作，且具有极高的重复性，可广泛用于VO2薄膜器件的性能改善。

公开(公告)号：CN109487338B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201811583090.6

申请日：2018-12-24

申请人： 东华大学

发明人： 徐晓峰 ,  蒙奕帆 ,  桑景新

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明涉及一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法，包括：在c‑Al2O3衬底上磁控溅射金属钒薄膜；然后在空气中进行氧化处理，自然冷却，即得。本发明制备的二氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达4.6个数量级，并且薄膜结晶取向为(020)单晶取向。本发明提供了一种单晶二氧化钒薄膜的简单制备方法，且能与其它半导体工艺相互兼容。

公开(公告)号：CN110284104A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910537089.8

申请日：2019-06-20

申请人： 东华大学

发明人： 徐晓峰 ,  桑景新 ,  蒙奕帆 ,  王游 ,  华志威 ,  郑探

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

摘要： 本发明公开了一种超薄二氧化钒薄膜的简易制备方法，其特征在于，利用磁控溅射镀膜仪溅射金属钒靶，通过控制溅射时间在蓝宝石基底上镀膜，得到金属钒薄膜；将金属钒薄膜置于快速退火炉内，然后在氩气和空气混合气体氛围下进行氧化处理，再将氧化后的薄膜取出并在空气中自然冷却，获得超薄二氧化钒薄膜。本发明操作简单、重复性高、制备的薄膜质量好，通过透射电子显微镜、原子力显微镜、四探针测试仪和光谱测试分析表明，所制备的超薄二氧化钒薄膜具有结晶度高、表面光滑、电阻变化明显以及可见光区域透过率较高等特性。

公开(公告)号：CN109487338A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811583090.6

申请日：2018-12-24

申请人： 东华大学

发明人： 徐晓峰 ,  蒙奕帆 ,  桑景新

IPC分类号： C30B29/16 ,  C30B29/64 ,  C30B1/10 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18

摘要： 本发明涉及一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法，包括：在c-Al2O3衬底上磁控溅射金属钒薄膜；然后在空气中进行氧化处理，自然冷却，即得。本发明制备的二氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达4.6个数量级，并且薄膜结晶取向为(020)单晶取向。本发明提供了一种单晶二氧化钒薄膜的简单制备方法，且能与其它半导体工艺相互兼容。