公开(公告)号：CN101517713B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200780034763.6

申请日：2007-09-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供等离子体清洁方法和等离子体CVD方法，该等离子体清洁方法包括：向在被处理基板表面沉积有氮化硅膜的等离子体CVD装置的处理容器内导入含有NF3气体的清洁气体，除去处理容器内的沉积物的工序(S1)；之后，向处理容器内导入含有氢气的气体并形成等离子体，除去残留在处理容器内的氟的工序(S2)；和进一步向处理容器内导入含有稀有气体的气体并形成等离子体，除去残留在处理容器内的氢的工序(S3)。

公开(公告)号：CN102171799A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138647.8

申请日：2009-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  中西敏雄 ,  鸿野真之 ,  宫原凖弥

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/308 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3145

Abstract: 为了形成由0.5％稀氢氟酸溶液蚀刻的蚀刻速率为0.11nm/秒以下的致密且绝缘性优良的高品质氧化硅膜(SiO2膜、SiON膜)，使用等离子体CVD装置，经由具有多个孔的平面天线向处理容器内导入微波并生成等离子体，将处理容器内的压力设定在0.1Pa以上6.7Pa以下的范围内，使用包含SiCl4气体或Si2H6气体和含氧气体的处理气体进行等离子体CVD。

公开(公告)号：CN101517713A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034763.6

申请日：2007-09-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供等离子体清洁方法和等离子体CVD方法，该等离子体清洁方法包括：向在被处理基板表面沉积有氮化硅膜的等离子体CVD装置的处理容器内导入含有NF3气体的清洁气体，除去处理容器内的沉积物的工序(S1)；之后，向处理容器内导入含有氢气的气体并形成等离子体，除去残留在处理容器内的氟的工序(S2)；和进一步向处理容器内导入含有稀有气体的气体并形成等离子体，除去残留在处理容器内的氢的工序(S3)。

公开(公告)号：CN102549727A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080044020.9

申请日：2010-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  鸿野真之 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明提供氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法。该氮化硅膜的成膜方法利用等离子体CVD法将存在大量的阱且可用作非易失性半导体存储装置的电荷蓄积层的氮化硅膜形成。在等离子体CVD装置中使用处理气体、并将处理容器内的压力设定在0.1Pa～8Pa的范围内来进行等离子体CVD，从而将含有较多的阱的氮化硅膜形成，其中，该等离子体CVD装置利用具有多个孔的平面天线将微波导入到处理容器内而生成等离子体，从而进行成膜，该处理气体含有由硅原子及氯原子构成的化合物的气体和氮气。

公开(公告)号：CN101981690A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111171.9

申请日：2009-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 远藤哲郎 ,  鸿野真之 ,  大田尾修一郎 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种MOS型半导体存储装置的制造方法和等离子体CVD装置。为了制造具有相邻的绝缘膜的带隙大小不同的绝缘膜层叠体的MOS型半导体存储装置，使用通过具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)导入微波的等离子体处理装置(100)，至少以与形成邻接的绝缘膜时的压力条件不同的压力条件进行等离子体CVD，改变构成绝缘膜层叠体的相邻的绝缘膜的带隙大小来依次进行成膜。

公开(公告)号：CN101641783A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880009852.X

申请日：2008-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人广岛大学

Inventor： 宫崎诚一 ,  鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  广田良浩

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供氮化硅膜和非易失性半导体存储器件，其中氮化硅膜作为半导体存储器件的电荷蓄积层有用并且具有优良的电荷蓄积能力。具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度的氮化硅膜具有高电荷蓄积能力。该氮化硅膜通过等离子体CVD成膜，该等离子体CVD使用通过具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波的等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入包含含氮化合物和含硅化合物的原料气体，由微波产生等离子体，通过该等离子体使氮化硅膜淀积在被处理体的表面。

公开(公告)号：CN101641783B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880009852.X

申请日：2008-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人广岛大学

Inventor： 宫崎诚一 ,  鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  广田良浩

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供氮化硅膜和非易失性半导体存储器件，其中氮化硅膜作为半导体存储器件的电荷蓄积层有用并且具有优良的电荷蓄积能力。具有在膜的厚度方向上大致均等的陷阱密度的氮化硅膜具有高电荷蓄积能力。该氮化硅膜通过等离子体CVD成膜，该等离子体CVD使用通过具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波的等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入包含含氮化合物和含硅化合物的原料气体，由微波产生等离子体，通过该等离子体使氮化硅膜淀积在被处理体的表面。

公开(公告)号：CN101652843B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200880010178.7

申请日：2008-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  广田良浩

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明使用等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体，利用微波产生等离子体，通过该等离子体在被处理体表面堆积氮化硅膜。其中，该等离子体处理装置(100)利用具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波。通过调节该等离子体CVD工序的条件，控制氮化硅膜的陷阱密度的大小。

公开(公告)号：CN101652843A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880010178.7

申请日：2008-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  广田良浩

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明使用等离子体处理装置(100)，向腔室(1)内导入含有含氮化合物和含硅化合物的原料气体，利用微波产生等离子体，通过该等离子体在被处理体表面堆积氮化硅膜。其中，该等离子体处理装置(100)利用具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)内导入微波。通过调节该等离子体CVD工序的条件，控制氮化硅膜的陷阱密度的大小。

公开(公告)号：CN101454480A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019791.0

申请日：2007-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/511 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 在使用等离子体处理装置，利用微波使导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板表面堆积氮化硅膜时，通过含氮气体的种类和处理压力的组合来控制形成的氮化硅膜的应力。上述等离子体处理装置利用具有多个隙缝的平面天线向处理室内导入微波，产生等离子体。