公开(公告)号：CN102171799A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138647.8

申请日：2009-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  中西敏雄 ,  鸿野真之 ,  宫原凖弥

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/308 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3145

Abstract: 为了形成由0.5％稀氢氟酸溶液蚀刻的蚀刻速率为0.11nm/秒以下的致密且绝缘性优良的高品质氧化硅膜(SiO2膜、SiON膜)，使用等离子体CVD装置，经由具有多个孔的平面天线向处理容器内导入微波并生成等离子体，将处理容器内的压力设定在0.1Pa以上6.7Pa以下的范围内，使用包含SiCl4气体或Si2H6气体和含氧气体的处理气体进行等离子体CVD。