等离子体处理方法和等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN118263085A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311766670.X

    申请日:2023-12-21

    Abstract: 本公开涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置,能够提高等离子体工艺的效率。等离子体处理方法包括工序(a)、工序(b)以及工序(c)。在工序(a)中,在周期性地重复进行向腔室的处理气体的供给以及所述腔室内的排气的等离子体处理中,通过检测所述腔室内的发光强度的传感器来获取由所述腔室内的所述处理气体电离所得的自由基的发光强度。在工序(b)中,获取设为发光强度的目标的设定值。在工序(c)中,基于通过所述工序(a)获取到的所述发光强度和通过所述工序(b)获取到的所述设定值,来计算使所述发光强度接近所述设定值的所述等离子体处理的处理条件。

    基于模型的控制方法、基于模型的控制系统和程序

    公开(公告)号:CN116487289A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310087984.0

    申请日:2023-01-18

    Abstract: 本发明涉及基于模型的控制方法、基于模型的控制系统和程序,可使温度控制部件的温度分布更迅速地接近作为目标的温度分布。基于模型的控制方法包括:步骤a,获取设置于处理装置的、具有能够单独地进行温度控制的多个区域的温度控制部件的包含各个区域的温度数据的温度控制数据;步骤b,对于各个区域确定其他区域的温度;步骤c,对于各个区域,使用所确定的其他区域的温度和温度控制数据,确定多输入单输出的状态空间模型的参数;步骤d,通过将所确定的多输入单输出的状态空间模型的参数分配给多输入多输出的状态空间模型的各元素,生成多输入多输出的状态空间模型;和步骤e,使用多输入多输出的状态空间模型,控制温度控制部件的各个区域的温度。

Patent Agency Ranking