公开(公告)号：CN108140556B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201580083223.1

申请日：2015-08-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 卡洛斯·A·丰塞卡 ,  本杰门·拉特扎克 ,  杰弗里·史密斯 ,  安东·J·德维利耶 ,  利奥尔·胡利 ,  儿玉辉彦 ,  约书亚·S·霍格

IPC: H01L21/027

Abstract: 所描述的实施方式涉及用于减少光刻畸变的方法和设备。半导体基片的背侧可以被纹理化。然后，可以在具有经纹理化的背侧的半导体基片上执行光刻工艺。

公开(公告)号：CN108140556A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580083223.1

申请日：2015-08-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 卡洛斯·A·丰塞卡 ,  本杰门·拉特扎克 ,  杰弗里·史密斯 ,  安东·J·德维利耶 ,  利奥尔·胡利 ,  儿玉辉彦 ,  约书亚·S·霍格

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L22/12 ,  G03F7/70783 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/20

Abstract: 所描述的实施方式涉及用于减少光刻畸变的方法和设备。半导体基片的背侧可以被纹理化。然后，可以在具有经纹理化的背侧的半导体基片上执行光刻工艺。