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公开(公告)号：CN115981102A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211211170.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。使利用了适用于EUV光刻的抗蚀材料的基板在曝光处理时的感光度面内均匀。基板处理装置具备：基板支承部；光源；具有照度计的测量部；遮蔽部，其能够在始终遮挡照射光的向旋转中心照射的部分的第1状态与作为该第1状态以外的状态的第2状态之间转换；和控制部，控制部执行：第1控制，在将遮蔽部设为第2状态的状态下，控制光源，以仅对局部的区域照射照射光；第2控制，基于由照度计测量到的照射光的照度，判断旋转中心处的曝光量是否超过了规定的阈值；第3控制，在判断为旋转中心处的曝光量超过了阈值的情况下，使遮蔽部转换为第1状态；以及第4控制，控制光源，以继续对基板照射照射光。
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公开(公告)号：CN115202154A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210305450.6
申请日：2022-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，使利用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板中的曝光时的感光度在面内均匀。基板处理装置(1)具有：光源(42)，在对利用EUV光刻用抗蚀剂材料形成了抗蚀剂膜的基板进行曝光处理前该光源(42)向该基板照射包括真空紫外光的光；以及作为光量抑制构件的有孔板(52)，其设置于来自所述光源的光的光路上，用于将到达所述基板表面的光的光量在照射区域中整体性地抑制为微弱光，其中，包括真空紫外光的光包括10nm～200nm波长中所包含的至少一部分波长带的连续的光谱成分。
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公开(公告)号：CN111492314A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081427.5
申请日：2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种光照射装置，其包括：多个氘灯，其向晶片W照射波长在200nm以下的、具有以光源为顶点的圆锥状的光路的真空紫外光；和多边形筒，其以遮挡从多个氘灯照射的真空紫外光的照射范围的重叠部分的方式与各氘灯对应地设置，多边形筒从真空紫外光的行进方向观察时形成为多边形。
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公开(公告)号：CN218240661U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202220671762.4
申请日：2022-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置，使利用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板中的曝光时的感光度在面内均匀。基板处理装置(1)具有：光源(42)，在对利用EUV光刻用抗蚀剂材料形成了抗蚀剂膜的基板进行曝光处理前该光源(42)向该基板照射包括真空紫外光的光；以及作为光量抑制构件的有孔板(52)，其设置于来自所述光源的光的光路上，用于将到达所述基板表面的光的光量在照射区域中整体性地抑制为微弱光，其中，包括真空紫外光的光包括10nm～200nm波长中所包含的至少一部分波长带的连续的光谱成分。
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