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公开(公告)号:CN116075683B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202180054058.2
申请日:2021-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G01B11/00
Abstract: 本公开说明能够高精确地处理被膜的周缘部分的周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质。周缘处理装置包括:拍摄部,构成为拍摄基片的周缘部,取得拍摄图像,基片包括基准基片和处理基片;第一计算部,以基准基片的中心为基准,计算基准基片的拍摄图像中的基准基片的理论上的周缘位置;第二计算部,基于基准基片的理论上的周缘位置和处理基片的拍摄图像,计算处理基片的拍摄图像中的处理基片的理论上的周缘位置;设定部,基于处理基片的理论上的周缘位置,设定基片的周缘部的处理参数;和处理部,基于处理参数,处理基片的周缘部。
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公开(公告)号:CN118426262A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410560149.9
申请日:2021-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16 , H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/20
Abstract: 本发明的周缘处理装置,包括:设定部,构成为设定处理基片的周缘部的处理参数;和处理部,构成为基于所述处理参数,处理所述处理基片的周缘部。所述设定部构成为在所述处理液对所述处理基片的周缘部的处理宽度的指定值小于规定的阈值的情况下,校正处理液的供给条件,所述处理部还包括:保持部,构成为可旋转地保持所述处理基片;和供给部,基于所述供给条件,从喷嘴向所述处理基片的周缘部供给处理液。根据本发明的周缘处理装置,能够以良好的精度处理被膜的周缘部分。
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公开(公告)号:CN116075683A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202180054058.2
申请日:2021-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01B11/00
Abstract: 本公开说明能够高精确地处理被膜的周缘部分的周缘处理装置、周缘处理方法和计算机可读记录介质。周缘处理装置包括:拍摄部,构成为拍摄基片的周缘部,取得拍摄图像,基片包括基准基片和处理基片;第一计算部,以基准基片的中心为基准,计算基准基片的拍摄图像中的基准基片的理论上的周缘位置;第二计算部,基于基准基片的理论上的周缘位置和处理基片的拍摄图像,计算处理基片的拍摄图像中的处理基片的理论上的周缘位置;设定部,基于处理基片的理论上的周缘位置,设定基片的周缘部的处理参数;和处理部,基于处理参数,处理基片的周缘部。
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公开(公告)号:CN111492314A
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201880081427.5
申请日:2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种光照射装置,其包括:多个氘灯,其向晶片W照射波长在200nm以下的、具有以光源为顶点的圆锥状的光路的真空紫外光;和多边形筒,其以遮挡从多个氘灯照射的真空紫外光的照射范围的重叠部分的方式与各氘灯对应地设置,多边形筒从真空紫外光的行进方向观察时形成为多边形。
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