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公开(公告)号：CN1800444A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510097501.7
申请日：2005-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , H01L21/365 , B08B3/00
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , C23C16/401 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包含利用清洗气体对成膜装置的反应室的内表面附着的以高介电常数材料为主要成分的副生成物膜进行处理的工序。在此，向反应室内供给清洗气体，并将反应室内设定为第一温度和第一压力。清洗气体不含氟而含有氯。第一温度和第一压力设定为使得清洗气体中的氯活化。
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公开(公告)号：CN1800444B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200510097501.7
申请日：2005-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , H01L21/365 , B08B3/00
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , C23C16/401 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包含利用清洗气体对成膜装置的反应室的内表面附着的以高介电常数材料为主要成分的副生成物膜进行处理的工序。在此，向反应室内供给清洗气体，并将反应室内设定为第一温度和第一压力。清洗气体不含氟而含有氯。第一温度和第一压力设定为使得清洗气体中的氯活化。
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公开(公告)号：CN104947083B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510148614.9
申请日：2015-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置用于对基板供给处理气体来对基板进行处理，其中，该基板处理装置包括：电极，其以在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置，以便对上述处理气体供给电力而使上述处理气体活性化；构造物，其以在排列有上述基板的高度区域内在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置在上述反应容器内；以及排气口，其用于对上述反应容器内进行真空排气，上述构造物配置于在俯视上述反应容器时、从上述反应容器的中心部看来向左方或右方与上述电极中的距该构造物最近的部位分别分开40度以上的区域。
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公开(公告)号：CN104947083A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510148614.9
申请日：2015-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/458 , C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置用于对基板供给处理气体来对基板进行处理，其中，该基板处理装置包括：电极，其以在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置，以便对上述处理气体供给电力而使上述处理气体活性化；构造物，其以在排列有上述基板的高度区域内在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置在上述反应容器内；以及排气口，其用于对上述反应容器内进行真空排气，上述构造物配置于在俯视上述反应容器时、从上述反应容器的中心部看来向左方或右方与上述电极中的距该构造物最近的部位分别分开40度以上的区域。
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