公开(公告)号：CN102569130A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110445614.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池英一郎 ,  长山将之 ,  宫井高广

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。

公开(公告)号：CN104821268B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410747792.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池英一郎 ,  长山将之 ,  宫井高广

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基

公开(公告)号：CN104821268A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201410747792.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池英一郎 ,  长山将之 ,  宫井高广

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。

公开(公告)号：CN102569130B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110445614.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池英一郎 ,  长山将之 ,  宫井高广

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。