公开(公告)号：CN116325081A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180066737.1

申请日：2021-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 出张俊宪 ,  笹原丽红 ,  奥村哲平 ,  郑雄铉 ,  旭健史郎 ,  阿部宽之 ,  金承珉

IPC: H01L21/302

Abstract: 蚀刻方法具备如下工序：将具有层叠第1氧化硅系膜与氮化硅系膜与第2氧化硅系膜而成的3层层叠膜的基板设置于腔室内的工序；和，在腔室内，使用HF‑NH3系气体，调整各膜中的气体比的同时对3层层叠膜进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN102725835A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007125.1

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 出张俊宪 ,  佐野正树

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 一种等离子体氮化处理方法，在等离子体处理装置的处理容器中被处理体进行高氮剂量的等离子体氮化处理后，进行低氮剂量的等离子体氮化处理。在高氮剂量条件的等离子体氮化处理结束后，向同一上述处理容器内导入稀有气体、氮气和氧气，在处理容器内的压力为（532Pa）以上（833Pa）以下、全部处理气体中氧气的体积流量比为（1.5％）以上（5％）以下的条件下，利用添加有微量氧的氮等离子体对处理容器内进行等离子体陈化处理。

公开(公告)号：CN109216186B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201810731781.X

申请日：2018-07-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林典之 ,  出张俊宪

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供一种即使在对二氧化硅系残渣物进行蚀刻后进行蚀刻残渣去除也不易产生对残留的SiO2膜的损伤的蚀刻方法和残渣去除方法。用于对形成于SiO2膜的含有碱成分的二氧化硅系残渣物进行蚀刻的蚀刻方法具有：第一阶段，向具有形成有二氧化硅系残渣物的SiO2膜的被处理基板供给HF气体、以及H2O气体或醇气体来选择性地对二氧化硅系残渣物进行蚀刻；以及第二阶段，在第一阶段后，去除通过第一阶段而产生的蚀刻残渣，其中，第二阶段具有：第一工序，向被处理基板供给H2O气体或醇气体；以及第二工序，对第一工序后的被处理基板进行加热。

公开(公告)号：CN109216186A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810731781.X

申请日：2018-07-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林典之 ,  出张俊宪

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供一种即使在对二氧化硅系残渣物进行蚀刻后进行蚀刻残渣去除也不易产生对残留的SiO2膜的损伤的蚀刻方法和残渣去除方法。用于对形成于SiO2膜的含有碱成分的二氧化硅系残渣物进行蚀刻的蚀刻方法具有：第一阶段，向具有形成有二氧化硅系残渣物的SiO2膜的被处理基板供给HF气体、以及H2O气体或醇气体来选择性地对二氧化硅系残渣物进行蚀刻；以及第二阶段，在第一阶段后，去除通过第一阶段而产生的蚀刻残渣，其中，第二阶段具有：第一工序，向被处理基板供给H2O气体或醇气体；以及第二工序，对第一工序后的被处理基板进行加热。