-
公开(公告)号：CN116325081A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180066737.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 蚀刻方法具备如下工序：将具有层叠第1氧化硅系膜与氮化硅系膜与第2氧化硅系膜而成的3层层叠膜的基板设置于腔室内的工序；和，在腔室内，使用HF‑NH3系气体，调整各膜中的气体比的同时对3层层叠膜进行蚀刻的工序。
Search Results
1
records
(took 0.027 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
