公开(公告)号：CN105097498A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510239773.X

申请日：2015-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广津信 ,  五十岚義树 ,  三轮智典 ,  冈田宏志

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/31127

Abstract: 提供蚀刻被蚀刻层的方法。课题是降低在被蚀刻层形成的多个开口的宽度的差异。该方法包括：(a)在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使等离子体反应产物沉积的第1工序、和(b)在第1工序之后，对被蚀刻层进行蚀刻的第2工序。掩模层具有粗区域和密区域。在粗区域形成了多个开口。密区域包围粗区域且掩模在该密区域比在粗区域密集地存在。粗区域包含第1区域和第2区域。第2区域为比第1区域接近密区域的区域。在该方法的第1工序中，第1区域中的开口的宽度比第2区域中的开口的宽度变窄。

公开(公告)号：CN105097498B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201510239773.X

申请日：2015-05-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广津信 ,  五十岚義树 ,  三轮智典 ,  冈田宏志

IPC: H01L21/311

Abstract: 提供蚀刻被蚀刻层的方法。课题是降低在被蚀刻层形成的多个开口的宽度的差异。该方法包括：(a)在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使等离子体反应产物沉积的第1工序、和(b)在第1工序之后，对被蚀刻层进行蚀刻的第2工序。掩模层具有粗区域和密区域。在粗区域形成了多个开口。密区域包围粗区域且掩模在该密区域比在粗区域密集地存在。粗区域包含第1区域和第2区域。第2区域为比第1区域接近密区域的区域。在该方法的第1工序中，第1区域中的开口的宽度比第2区域中的开口的宽度变窄。