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公开(公告)号：CN101998955B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200980112699.8
申请日：2009-03-13
申请人： 东丽株式会社
IPC分类号： C07D417/14 , C08G61/12 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42
CPC分类号： H01L51/0036 , C07D417/14 , C07F7/0812 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01L51/0007 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要： 为了提供光电转换效率高的光生伏打元件，提供下述供电子性有机材料，该供电子性有机材料为含有(a)含苯并噻二唑骨架和低聚噻吩骨架、(b)带隙(Eg)为1.8eV以下、(c)最高被占分子轨道(HOMO)能级为-4.8eV以下的苯并噻二唑化合物的供电子性有机材料，其中，上述苯并噻二唑化合物为苯并噻二唑骨架与低聚噻吩骨架交替共价键合而成的，苯并噻二唑骨架∶低聚噻吩骨架之比为1∶1～1∶2(其中，1∶1除外)，1个低聚噻吩骨架中含有的噻吩环的个数为3个～12个。
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公开(公告)号：CN101946290A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105095.0
申请日：2009-02-27
申请人： 东丽株式会社
CPC分类号： H01B1/24 , G06F3/044 , Y10T428/30
摘要： 本发明涉及一种带有透明导电膜的基材，按以下顺序依次具有透明支持基材、热固性树脂膜及碳纳米管导电膜，所述热固性树脂膜含有50重量％以上的三聚氰胺树脂，所述碳纳米管导电膜电阻的线性值为1.5％以下。根据本发明能够得到具有导电膜的带有透明导电膜的基材，所述导电膜对基材的密合性及面内均匀性优异。
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公开(公告)号：CN102027612B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200980117108.6
申请日：2009-05-11
申请人： 东丽株式会社
IPC分类号： H01L51/30 , C01B31/02 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0566 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0072 , H01L51/0545 , H01L51/10
摘要： 碳纳米管复合体，其在碳纳米管表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物，所述共轭系聚合物在重复单元中含有环中具有含氮双键的稠合杂芳基单元和噻吩单元。本发明可减少场效应晶体管的磁滞，所述场效应晶体管具有含有碳纳米管的半导体层。
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公开(公告)号：CN102089870B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980109467.7
申请日：2009-02-27
申请人： 东丽株式会社
IPC分类号： H01L21/312 , C08G59/20 , C08G59/68 , C09D5/25 , C09D183/04 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/052 , C08G59/306 , C08G59/3281 , C08G65/20 , C08G77/14 , C09D163/00 , G03F7/0757 , H01B3/40 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/0545
摘要： 提供耐化学试剂性高、抗蚀剂或有机半导体涂液的涂布性优异、并且磁滞小的栅极绝缘材料。是含有至少以通式(1)表示的硅烷化合物及通式(2)表示的含环氧基的硅烷化合物为共聚成分的聚硅氧烷的栅极绝缘材料。R1m Si(OR2)4-m(1)，R1为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R2为烷基或环烷基。m为1～3的整数。R3nR4lSi(OR5)4-n-l(2)，R3是链的一部分具有1个以上环氧基的烷基或环烷基，R4为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R5为烷基或环烷基。l为0～2的整数，n为1或2。l+n≤3。
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公开(公告)号：CN102089870A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980109467.7
申请日：2009-02-27
申请人： 东丽株式会社
IPC分类号： H01L21/312 , C08G59/20 , C08G59/68 , C09D5/25 , C09D183/04 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/052 , C08G59/306 , C08G59/3281 , C08G65/20 , C08G77/14 , C09D163/00 , G03F7/0757 , H01B3/40 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/0545
摘要： 提供耐化学试剂性高、抗蚀剂或有机半导体涂液的涂布性优异、并且磁滞小的栅极绝缘材料。是含有至少以通式(1)表示的硅烷化合物及通式(2)表示的含环氧基的硅烷化合物为共聚成分的聚硅氧烷的栅极绝缘材料。R1m Si(OR2)4-m(1)(此处，R1为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R2为烷基或环烷基。m为1～3的整数。)R3nR4lSi(OR5)4-n-l(2)(此处，R3是链的一部分具有1个以上环氧基的烷基或环烷基，R4为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R5为烷基或环烷基。l为0～2的整数，n为1或2。l+n≤3)。
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公开(公告)号：CN102292838B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080005442.5
申请日：2010-01-20
申请人： 东丽株式会社
CPC分类号： H01L51/0039 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3244 , C08G2261/412 , C08G2261/91 , C09B69/109 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要： 通过含有具通式(1)所示结构的供电子性有机材料的光伏元件用材料，提供光电转换效率高的光伏元件。
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公开(公告)号：CN101522753B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200780037667.7
申请日：2007-10-04
申请人： 东丽株式会社
CPC分类号： C08G61/126 , B82Y10/00 , C08G61/123 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0049 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要： 为了提供光电转换效率高的光伏元件，制成含有通式(1)所示的共轭聚合物的光伏元件用电子给予性有机材料。[化1](R1～R10可以相同或不同，选自氢原子、烷基、烷氧基、芳基中。R11和R12可以相同或不同，选自氢原子、烷基、芳基、杂芳基、卤原子中。W、X、Y和Z可以相同或不同，选自单键、亚芳基、亚杂芳基、亚乙烯基、亚乙炔基中。m为0或1。n表示1～1000的范围)
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公开(公告)号：CN102292838A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005442.5
申请日：2010-01-20
申请人： 东丽株式会社
CPC分类号： H01L51/0039 , C08G61/122 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3244 , C08G2261/412 , C08G2261/91 , C09B69/109 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要： 通过含有具通式(1)所示结构的供电子性有机材料的光伏元件用材料，提供光电转换效率高的光伏元件。
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公开(公告)号：CN101998955A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980112699.8
申请日：2009-03-13
申请人： 东丽株式会社
IPC分类号： C07D417/14 , C08G61/12 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42
CPC分类号： H01L51/0036 , C07D417/14 , C07F7/0812 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01L51/0007 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要： 为了提供光电转换效率高的光生伏打元件，提供下述供电子性有机材料，该供电子性有机材料为含有(a)含苯并噻二唑骨架和低聚噻吩骨架、(b)带隙(Eg)为1.8eV以下、(c)最高被占分子轨道(HOMO)能级为-4.8eV以下的苯并噻二唑化合物的供电子性有机材料，其中，上述苯并噻二唑化合物为苯并噻二唑骨架与低聚噻吩骨架交替共价键合而成的，苯并噻二唑骨架∶低聚噻吩骨架之比为1∶1～1∶2(其中，1∶1除外)，1个低聚噻吩骨架中含有的噻吩环的个数为3个～12个。
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