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公开(公告)号：CN102378750A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080015348.8
申请日：2010-03-29
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C07C49/67 , C07D307/91 , C09K11/06 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC classification number: C07D519/00 , C07C49/683 , C07C2602/42 , C07C2602/50 , C07C2603/24 , C07D209/86 , C07D307/91 , C07D333/76 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0013 , H01L51/005 , H01L51/5012
Abstract: 本发明的课题是，依靠过去的方法难以制造的发光元件材料前体可以制造，以及通过该前体提供适合湿式工艺的材料和使用该材料制造有机EL元件的制造方法。本发明是通式(1)所示的发光元件材料前体。(其中，R1～R6既可以相同也可以不同，分别选自氢原子、烷基、环烷基、链烯基、环链烯基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基和卤原子。但R1～R6中的至少1个具有2环以上的稠合芳香族烃。)
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公开(公告)号：CN104395375B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380017758.X
申请日：2013-12-26
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G73/1007 , B29D11/00634 , B29K2079/08 , B29K2995/002 , B29K2995/0026 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1053 , C08G73/106 , C08G73/1064 , C08G73/1067 , C08G73/1071 , C08G73/1082 , C09D179/08 , G02B5/223 , G02B5/287 , H01L27/3241 , H01L51/0024 , H01L51/0097 , H01L51/52
Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺前体，使用了该聚酰亚胺前体的柔性TFT阵列、柔性滤色器、带有阻气层的柔性基板、以及使用了它们的柔性显示器件等，通过具有通式(1)所示的单元结构和通式(2)所示的单元结构的聚酰亚胺前体，从而不论膜的烧成条件如何，都不发生膜的泛白、破裂、发泡。(在通式(1)、(2)中，X1～X4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的1价有机基团或碳原子数1～10的1价烷基甲硅烷基。R1由通式(3)表示，R2由通式(4)表示。)(在通式(4)中，R3和R4各自独立地表示碳原子数1～10的1价有机基团。)。
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公开(公告)号：CN102640317A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080054524.9
申请日：2010-11-29
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01L51/0054 , C07C13/68 , C07C15/38 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L51/0058 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，其是具有特定的并四苯衍生物的有机EL元件，其中，通过使该并四苯衍生物的前体化合物在有机EL元件中的含量为一定以下，可抑制发光亮度的降低，大幅度改善了寿命。
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公开(公告)号：CN101589482B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880003179.9
申请日：2008-01-25
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0005 , H01L51/0048 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管，其通过含有特定的噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材料，能用喷墨等涂布工艺进行制膜，具有高电荷迁移率，即使在大气中也可以维持高开关比。
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公开(公告)号：CN102027612A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117108.6
申请日：2009-05-11
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , C01B31/02 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0072 , H01L51/0545 , H01L51/10
Abstract: 碳纳米管复合体，其在碳纳米管表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物，所述共轭系聚合物在重复单元中含有环中具有含氮双键的稠合杂芳基单元和噻吩单元。本发明可减少场效应晶体管的磁滞，所述场效应晶体管具有含有碳纳米管的半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101589482A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200880003179.9
申请日：2008-01-25
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , H01L51/0005 , H01L51/0048 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管，其通过含有特定的噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材料，能用喷墨等涂布工艺进行制膜，具有高电荷迁移率，即使在大气中也可以维持高开关比。
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公开(公告)号：CN102027612B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200980117108.6
申请日：2009-05-11
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , C01B31/02 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0072 , H01L51/0545 , H01L51/10
Abstract: 碳纳米管复合体，其在碳纳米管表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物，所述共轭系聚合物在重复单元中含有环中具有含氮双键的稠合杂芳基单元和噻吩单元。本发明可减少场效应晶体管的磁滞，所述场效应晶体管具有含有碳纳米管的半导体层。
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公开(公告)号：CN102089870B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980109467.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G59/20 , C08G59/68 , C09D5/25 , C09D183/04 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , C08G59/306 , C08G59/3281 , C08G65/20 , C08G77/14 , C09D163/00 , G03F7/0757 , H01B3/40 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 提供耐化学试剂性高、抗蚀剂或有机半导体涂液的涂布性优异、并且磁滞小的栅极绝缘材料。是含有至少以通式(1)表示的硅烷化合物及通式(2)表示的含环氧基的硅烷化合物为共聚成分的聚硅氧烷的栅极绝缘材料。R1m Si(OR2)4-m(1)，R1为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R2为烷基或环烷基。m为1～3的整数。R3nR4lSi(OR5)4-n-l(2)，R3是链的一部分具有1个以上环氧基的烷基或环烷基，R4为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R5为烷基或环烷基。l为0～2的整数，n为1或2。l+n≤3。
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公开(公告)号：CN102089870A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980109467.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G59/20 , C08G59/68 , C09D5/25 , C09D183/04 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , C08G59/306 , C08G59/3281 , C08G65/20 , C08G77/14 , C09D163/00 , G03F7/0757 , H01B3/40 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 提供耐化学试剂性高、抗蚀剂或有机半导体涂液的涂布性优异、并且磁滞小的栅极绝缘材料。是含有至少以通式(1)表示的硅烷化合物及通式(2)表示的含环氧基的硅烷化合物为共聚成分的聚硅氧烷的栅极绝缘材料。R1m Si(OR2)4-m(1)(此处，R1为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R2为烷基或环烷基。m为1～3的整数。)R3nR4lSi(OR5)4-n-l(2)(此处，R3是链的一部分具有1个以上环氧基的烷基或环烷基，R4为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R5为烷基或环烷基。l为0～2的整数，n为1或2。l+n≤3)。
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公开(公告)号：CN104395375A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380017758.X
申请日：2013-12-26
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G73/1007 , B29D11/00634 , B29K2079/08 , B29K2995/002 , B29K2995/0026 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1053 , C08G73/106 , C08G73/1064 , C08G73/1067 , C08G73/1071 , C08G73/1082 , C09D179/08 , G02B5/223 , G02B5/287 , H01L27/3241 , H01L51/0024 , H01L51/0097 , H01L51/52
Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺前体，使用了该聚酰亚胺前体的柔性TFT阵列、柔性滤色器、带有阻气层的柔性基板、以及使用了它们的柔性显示器件等，通过具有通式(1)所示的单元结构和通式(2)所示的单元结构的聚酰亚胺前体，从而不论膜的烧成条件如何，都不发生膜的泛白、破裂、发泡。(在通式(1)、(2)中，X1～X4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的1价有机基团或碳原子数1～10的1价烷基甲硅烷基。R1由通式(3)表示，R2由通式(4)表示。)(在通式(4)中，R3和R4各自独立地表示碳原子数1～10的1价有机基团。)。
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