公开(公告)号：CN119678246A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380054984.9

申请日：2023-06-08

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 今井宏一 ,  寺田丰治

IPC: H01L21/50

Abstract: 课题在于公开使保持层仅在与元件的第二主面的尺寸同等或比元件的第二主面的尺寸靠内侧的区域与元件接触的方法及其装置。具体而言，设为保持层局部去除方法，其在借助保持层(10)保持着元件的第二主面(1B)的基板(20)中，去除所述保持层(10)的一部分，其特征在于，实施如下的保持层去除工序：以所述元件的排列区域中的所述保持层(10)的配置范围整个区域成为照射范围的方式从所述元件的第一主面1A侧照射激光，来去除所述保持层(10)的一部分。

公开(公告)号：CN1827280A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610058852.1

申请日：2006-03-02

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 今井宏一 ,  上西孝史

IPC: B23K20/10 ,  B06B1/00 ,  B06B3/00 ,  H01L21/607

Abstract: 本发明揭示一种超声波键合头及采用超声波键合头的装置，在传能器的前端中间形成凹下部分，将吸附构件放置在该凹下部分的中间，该吸附构件具有从传能器前端突出的吸附区域即凸起部分。在吸附构件的下部具有面向传能器凹下部分的底面呈锥体状加宽的侧面部分，该侧面部分的斜面与保持构件接触，通过将该保持构件与传能器的凹下部分紧固，从而夹住吸附构件的侧面部分，与传能器的凹下部分紧固。

公开(公告)号：CN118974953A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380031192.X

申请日：2023-03-28

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 今井宏一 ,  寺田丰治

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L33/00

Abstract: 课题在于以简单的结构高精度地转移半导体芯片等元件。具体而言，是通过激光剥离将在转移基板(20)的第一主面上至少沿第一方向排列并保持于保持层(10)的元件(1)向被转移基板转移的转移方法，其特征在于，实施第一元件转移工序，在该第一元件转移工序中，以照射到比至少1个作为转移对象的第一元件(1)的整个区域大的区域的大小的第一激光光斑(50)，从所述转移基板(20)的第二主面侧向以保持着作为转移对象的所述第一元件(1)的所述保持层(10)为中心的区域照射激光，向保持作为转移对象的所述第一元件(1)的整个区域的所述保持层(10)照射能够将作为转移对象的所述第一元件(1)分离的能量的激光，将所述第一元件(1)向被转移基板(30)转移。