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公开(公告)号：CN102104099B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910201956.7
申请日：2009-12-18
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司
摘要： 本发明公开了一种高亮度发光二极管芯片的制造方法，包括：第一步，在衬底上制备半导体外延层，至少包括N型氮化物半导体层、有源层及P型氮化物半导体层；第二步，局部刻蚀，使部分N型氮化物半导体层露出，露出部分为N型环岛阻挡层、预留N电极蒸镀位置及预留阻挡层位置，并形成N型环岛阻挡层低于预留N电极蒸镀位置一定的高度差，该预留阻挡层位置位于P电极蒸镀位置且比P电极稍宽；第三步，在预留阻挡层位置沉积阻挡层；第四步，在P型氮化物半导体层上形成透明导电层；第五步，在N型和P型氮化物半导体层上分别蒸镀N电极和P电极；第六步，在芯片表面沉积保护膜。本发明能解决电流扩散问题及提升芯片的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN102104099A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910201956.7
申请日：2009-12-18
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司
摘要： 本发明公开了一种高亮度发光二极管芯片的制造方法，包括：第一步，在衬底上制备半导体外延层，至少包括N型氮化物半导体层、有源层及P型氮化物半导体层；第二步，局部刻蚀，使部分N型氮化物半导体层露出，露出部分为N型环岛阻挡层、预留N电极蒸镀位置及预留阻挡层位置，并形成N型环岛阻挡层低于预留N电极蒸镀位置一定的高度差，该预留阻挡层位置位于P电极蒸镀位置且比P电极稍宽；第三步，在预留阻挡层位置沉积阻挡层；第四步，在P型氮化物半导体层上形成透明导电层；第五步，在N型和P型氮化物半导体层上分别蒸镀N电极和P电极；第六步，在芯片表面沉积保护膜。本发明能解决电流扩散问题及提升芯片的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN101403106B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810202552.5
申请日：2008-11-11
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明揭示了一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，包括如下步骤：步骤1、通入SiH4/Ar和N2O，利用PECVD方法，在待淀积一所需厚度SiO2层的材料表面淀积一SiO2薄膜，且所述SiO2薄膜的厚度小于所需厚度；步骤2、单独通入N2O，利用N2O在高频电场下产生的高能粒子对已淀积好的SiO2薄膜进行轰击；步骤3、通入SiH4/Ar和N2O，利用PECVD方法，在所述SiO2薄膜上继续淀积SiO2薄膜以使所淀积的SiO2薄膜总的厚度达到所需厚度。本发明的要点是：在采用PECVD系统淀积SiO2薄膜时，利用N2O产生的高能粒子打断SiO2薄膜中残留的Si-H键和N-H键，使H原子与O原子相结合并挥发出去，从而去除了导电的离子键，大大提高了SiO2薄膜的绝缘性。
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公开(公告)号：CN101447545A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810207946.X
申请日：2008-12-26
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明揭示了一种平行四边形LED芯片，包括设置有正电极及负电极的LED芯片本体，所述LED芯片本体的形状为平行四边形而非方形。所述芯片本体的形状优选为菱形；所述芯片本体设有能够改善电流分布以及增加芯片侧面出光率的微形坑；所述微形坑可以是长条形；所述长条形坑处于所述平行四边形的一条对角线上；所述长条形坑可成分离成至少两段。本发明提供的平行四边形LED芯片既增加了LED芯片的侧面出光，改善了电流分布，又能够同方向顺次排列，方便测量。
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公开(公告)号：CN102412357B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201010292342.7
申请日：2010-09-26
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司
摘要： 本发明公开一种薄膜结构发光二极管，包括：外延片、键合衬底和通孔金属栓。外延片的P型半导体层上设有第一键合金属层；且外延片上设有凹孔深至N型半导体层，凹孔内的N型半导体层表面设有N电极；外延片的表面包裹有保护膜仅将第一键合金属层和N电极露出；键合衬底设有与凹孔对应的通孔，键合衬底上设有与第一键合金属层配合的第二键合金属层；外延片与键合衬底键合对接在一起，通孔金属栓位于通孔和凹孔中，与N电极接触将电极引出，通过第一键合金属层或第二键合金属层作为P电极引出。该结构可增加芯片键合牢固性，增加热扩散面积，降低热阻，改善电流注入，且N电极设于出光面背面，从而可提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN102347410B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010244013.5
申请日：2010-08-03
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 本发明公开了一种提高GaN基LED亮度的方法，在蓝宝石衬底上生长非掺杂GaN层时，先在没有活性氮源的气氛下通入三甲基镓，在蓝宝石衬底上形成一金属层，对其高温处理之后通入氨气进行氮化；然后继续生长非掺杂GaN牺牲层，之后同时停止通入三甲基镓和氨气再次高温处理；最后在粗化的界面上生长常规的非掺杂GaN层，并在其上外延生长完整的LED结构，制备出LED芯片。本发明在蓝宝石和GaN界面形成粗化结构，通过两步腐蚀工艺的结合，可以提高腐蚀密度及腐蚀均匀性，得到比较均匀的、衬底与GaN的粗化界面，从而减少光在GaN层的全反射，提高GaN基LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN101593801B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910057583.0
申请日：2009-07-09
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L27/15
摘要： 本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101494272B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910046834.5
申请日：2009-02-27
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其首先在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层，然后采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化，相对于现有工艺，此法操作简单，且粗化效果更为理想。
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公开(公告)号：CN101640242A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910055921.7
申请日：2009-08-05
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种发光二极管芯片的制造方法，该方法包括以下步骤：步骤一，在半导体衬底之上生长发光二极管结构的半导体外延层；步骤二，在所述半导体外延层上制备透明导电层；步骤三，对步骤二所得结构进行局部刻蚀，使部分n型氮化物半导体层露出；步骤四，对所得结构表面和透明导电层在一定条件下利用N 2 O进行处理；步骤五，在n型氮化物半导体层上制备n电极，在p型氮化物半导体层上制备p电极；步骤六，在步骤五所得的结构上表面制备SiO 2 保护膜，只露出n电极及p电极。采用N 2 O在一定条件下对刻蚀后的芯片结构进行处理，既可以使得由于刻蚀而损伤的部分得到恢复，还可以达到强化透明导电层的效果，从而改善了芯片的性能，提高芯片的寿命。
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公开(公告)号：CN101488549A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046838.3
申请日：2009-02-27
申请人： 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 一种能增加出光率的LED制作方法，其首先在半导体衬底上依次生长出N－GaN层、量子阱层、及P－GaN层的层叠结构，然后在所述层叠结构表面生成介质膜层，并采用图形曝光及刻蚀或蚀刻技术刻蚀或蚀刻所述介质膜层以形成具有多个镂空处的镂空图形，接着在所形成的镂空图形的各镂空处生长不掺杂的GaN突起以使所述P－GaN层表面粗化，再采用腐蚀法将介质膜层的未被镂空处去除，形成镂空微结构且粗化的P－GaN层表面，最后在该层表面制作所需电极以形成LED，由此可提高光子的出光率，进而提高所形成的LED的亮度。
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