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公开(公告)号:CN117711646A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311728228.8
申请日:2023-12-15
Applicant: 上海核工程研究设计院股份有限公司 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种CHF试验格架制造方法,在CHF试验格架预制件上确定强化区域,设置保护层隔离非强化区域,利用离子束辅助电子束蒸发沉积工艺在强化区域表面交替沉积含Al陶瓷层与含Si陶瓷层形成具有多层复合结构的强化层,得到具有强化层的CHF试验格架成品。通过该方法能够在CHF试验格架上制备具有良好绝缘和耐磨性能的强化层,降低CHF试验过程中局部放电导致电加热棒被击穿的风险。本发明还提供一种CHF试验格架。
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公开(公告)号:CN119932520A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202311460464.6
申请日:2023-11-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C16/32 , C23C16/40 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种超黑薄膜及其制备方法和应用。所述超黑薄膜包括:交替沉积在基底表面的TiAlC薄膜和低折射率介质薄膜;所述低折射率介质薄膜的材质包括SiO2、CaF2和MgF2中的至少一种。
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公开(公告)号:CN107815665A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201610826139.0
申请日:2016-09-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , A61L27/30 , A61L27/54
CPC classification number: C23C16/405 , A61L27/306 , A61L27/54 , A61L2300/404 , A61L2420/02 , C23C16/45525
Abstract: 本发明涉及一种二氧化钛薄膜及其制备方法和应用,是利用原子层沉积技术,采用含钛前驱体和含氧前驱体分别作为钛源和氧源,在基材表面沉积得到的二氧化钛薄膜后进行紫外照射后得到,所述二氧化钛薄膜为多晶二氧化钛薄膜,晶相为纯锐钛矿相。本发明采用原子层沉积技术制备锐钛矿型二氧化钛薄膜,具有优良的生物相容性,经过紫外光辐照后可获得优良的抗菌性能。
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