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公开(公告)号：CN117767107A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410135963.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明涉及一种高密度半导体激光器散热结构及其应用，该结构包括：底板，其包括底板主体，以及设于底板主体内的冷却工质进入通道和冷却工质出口通道，底板主体上表面交替设有与冷却工质进入通道相连通的第一出工质口、与冷却工质出口通道相连通的第一进工质口；多个设于底板上的微通道层，其包括微通道层体、设于微通道层体朝向底板一侧的微通道凹槽；微通道凹槽内交替设有微通道肋片和流体通道，微通道凹槽覆盖至少一个第一出工质口和至少一个第一进工质口；设于微通道层上的半导体激光器单元。与现有技术相比，本发明在半导体激光器单元下方引入微通道冷却回路，通过微通道散热结构强化冷却回路的换热能力，解决高功率半导体激光器的散热问题。
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公开(公告)号：CN117767106A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410135960.2
申请日：2024-01-31
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01S5/024 , H01S5/0237 , H01S5/02345
Abstract: 本发明涉及一种基于平面导热层的半导体激光器热沉强化结构及其制备方法和应用，该结构包括：基础热沉；设于基础热沉上的平面导热层；设于平面导热层上的绝缘层；设于绝缘层上的金属层，其包括平行排列的第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层之间的间隙构成绝缘沟槽；设于第一金属层上的半导体激光器，其通过金丝引线与第二金属层相连。与现有技术相比，本发明在基础热沉和绝缘层之间嵌入平面导热层，平面导热层的引入使得有源区的集中热量产生后能够在平面方向上快速传导开来，并有效利用下方热沉面积进行散热，从而提高了整体结构的散热能力和热稳定性，解决了高功率半导体激光器的散热问题。
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公开(公告)号：CN221767276U
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202420237203.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本实用新型涉及一种高密度半导体激光器散热结构，该结构包括：底板，其包括底板主体，以及设于底板主体内的冷却工质进入通道和冷却工质出口通道，底板主体上表面交替设有与冷却工质进入通道相连通的第一出工质口、与冷却工质出口通道相连通的第一进工质口；多个设于底板上的微通道层，其包括微通道层体、设于微通道层体朝向底板一侧的微通道凹槽；微通道凹槽内交替设有微通道肋片和流体通道，微通道凹槽覆盖至少一个第一出工质口和至少一个第一进工质口；设于微通道层上的半导体激光器单元。与现有技术相比，本实用新型在半导体激光器单元下方引入微通道冷却回路，通过微通道散热结构强化冷却回路的换热能力，解决高功率半导体激光器的散热问题。
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公开(公告)号：CN221767275U
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202420237191.2
申请日：2024-01-31
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01S5/024 , H01S5/0237 , H01S5/02345
Abstract: 本实用新型涉及一种基于平面导热层的半导体激光器热沉强化结构，该结构包括：基础热沉；设于基础热沉上的平面导热层；设于平面导热层上的绝缘层；设于绝缘层上的金属层，其包括平行排列的第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层之间的间隙构成绝缘沟槽；设于第一金属层上的半导体激光器，其通过金丝引线与第二金属层相连。与现有技术相比，本实用新型在基础热沉和绝缘层之间嵌入平面导热层，平面导热层的引入使得有源区的集中热量产生后能够在平面方向上快速传导开来，并有效利用下方热沉面积进行散热，从而提高了整体结构的散热能力和热稳定性，解决了高功率半导体激光器的散热问题。
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