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公开(公告)号：CN118883301A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411191428.9
申请日：2024-08-28
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种利用动态力学分析仪表征薄膜样品非等温蠕变的方法，包括：获取初始标准样品和初始待测样品，对初始标准样品和初始待测样品进行处理，获得标准样品和待测样品；通过动态力学分析仪对标准样品进行测试，获取标准样品随温度变化的测试伸长率，消除测试伸长率与理论伸长率的偏差，获取动态力学分析仪中夹具随温度变化的伸长率；基于动态力学分析仪对待测样品进行测试，获取待测样品的应变随温度的变化关系曲线，即非等温蠕变测试结果；根据夹具的伸长率修正非等温蠕变测试结果。本发明能够实现对薄膜样品在不同温度、应力等条件下的非等温蠕变分析。
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公开(公告)号：CN116288567A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310397819.5
申请日：2023-04-14
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种高强韧性低电阻率层状金属及其制备方法，该金属由一层大晶粒层和一层小晶粒层交替构成，层界面之间属于金属键结合，并且大晶粒层和小晶粒层中均表现为双峰晶粒的异构分布，晶粒内部位错密度极低，小于1.1×107/dm‑2，d是晶粒尺寸。利用交替变化的电流密度，实现层状金属材料制备，电镀过程中阴极高速旋转，沉积产物和电解液之间存在切应力的作用，制备出具有孪晶结构的层状的金属材料。对孪晶层状金属材料经过较低的升温速率再结晶退火。与现有技术相比，本发明可制得具有高强韧性和低电阻率的金属材料。
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公开(公告)号：CN113013033B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202011516548.3
申请日：2020-12-21
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L21/3213
摘要： 本发明公开了一种金属厚膜离子束刻蚀方法，是将厚膜样品结合光刻工艺和离子束刻蚀的方法，将金属厚膜部分刻蚀并使其变脆，然后机械剥离金属厚膜的刻蚀区与未刻蚀区得到具体想要花样的金属厚膜，并且不改变或者损坏膜内部结构和性能，为金属厚膜在芯片、集成电路和促动器上的应用打下技术基础。其中可供刻蚀的膜成分包括所有的纯金属和合金，厚膜的厚度1‑50μm，光刻胶包括所有型号的光刻胶。被刻蚀的地方可与未被刻蚀附着光刻胶的地方机械剥离从而得到具有各种花样的金属膜样品，此技术可以减少刻蚀时间，不用完全刻透厚膜，即可实现厚膜的刻蚀，增加了刻蚀的效率。
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公开(公告)号：CN115046842A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210387274.5
申请日：2022-04-13
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开一种磁场环境下的动态力学分析测试方法，包括以下步骤：校准仪器：对动态力学分析仪及其附带的夹具进行校准；组装：先组装辅助所述动态力学分析仪的模具，将待测样品贯穿所述模具固定安装到与所述动态力学分析仪所附带的夹具上；测试：通过所述动态力学分析仪对所述待测样品提供测试环境，并开始测试。本发明能够实现对磁性材料在不同温度、应变等条件下的动态力学性能参数的测试。
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公开(公告)号：CN111455198A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010412839.1
申请日：2020-05-15
申请人： 上海大学
摘要： 本申请公开了一种适用于抗疲劳实验的HfNbTiZr合金试样的制备方法，包括：使用真空自耗电弧感应熔炼炉将包含元素Hf、Nb、Ti和Zr的合金原料熔炼成合金锭；利用大功率真空感应炉采用创新加热模式将预设数目的所述合金锭熔炼成待轧合金锭；对所述待轧合金锭进行轧制，获得预设厚度的轧制合金板；对所述轧制合金板进行线切割及车床加工以获得预设宽度的试样合金棒。本申请的有益之处在于提供了一种能有效提高合金材料疲劳性能的适用于抗疲劳实验的HfNbTiZr合金试样的制备方法。
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公开(公告)号：CN116536628B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310522641.2
申请日：2023-05-10
申请人： 上海大学
摘要： 本发明提出了一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法及产品，属于超导薄膜技术领域，该方法包括以下步骤：在氩气环境下，利用磁控溅射，以30‑60W的溅射功率溅射10min‑3h，将靶材Mo80Nb20沉积至Si衬底，得到所述纳米级非晶超导薄膜。本发明还公开了上述方法制备得到的纳米级非晶超导薄膜。本发明通过调整溅射过程中的功率以及溅射时间，简化了制备工艺，降低了成本，且制备出来的Mo80Nb20纳米级非晶超导薄膜厚度分布均匀，质量和结构稳定。采用本发明制备的Mo80Nb20纳米级非晶超导薄膜具有较高的临界转变温度，且存在明显的厚度相关性。
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公开(公告)号：CN110129717B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910474293.X
申请日：2019-05-31
申请人： 上海大学
摘要： 本申请公开了一种基于多源等离子喷涂和激光后处理的厚膜组合材料芯片高通量制备方法。该厚膜组合材料芯片高通量制备方法包括以下步骤：(1)用多工位等离子喷涂设备预制备成分沿基底表面方向连续变化的组合材料芯片；(2)利用高能激光器对组合材料芯片进行后处理，使上述组合材料芯片成分合金化；(3)将组合材料芯片进行切割、表征、筛选，即得产品。本申请解决了传统材料研发的高成本、长周期的问题。
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公开(公告)号：CN113013033A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011516548.3
申请日：2020-12-21
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L21/3213
摘要： 本发明公开了一种金属厚膜离子束刻蚀方法，是将厚膜样品结合光刻工艺和离子束刻蚀的方法，将金属厚膜部分刻蚀并使其变脆，然后机械剥离金属厚膜的刻蚀区与未刻蚀区得到具体想要花样的金属厚膜，并且不改变或者损坏膜内部结构和性能，为金属厚膜在芯片、集成电路和促动器上的应用打下技术基础。其中可供刻蚀的膜成分包括所有的纯金属和合金，厚膜的厚度1‑50μm，光刻胶包括所有型号的光刻胶。被刻蚀的地方可与未被刻蚀附着光刻胶的地方机械剥离从而得到具有各种花样的金属膜样品，此技术可以减少刻蚀时间，不用完全刻透厚膜，即可实现厚膜的刻蚀，增加了刻蚀的效率。
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公开(公告)号：CN112126871A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010266575.3
申请日：2020-04-07
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种制备微纳米尺度金属玻璃管的装置和方法，首先选取有足够玻璃形成能力和热塑性成型能力的金属玻璃棒材，接着通过打孔装置对金属玻璃棒钻孔，块体金属玻璃管的实心区域用电沉积法覆盖镀层，最后通过计算机软件的加热程序将块体金属玻璃棒管在真空腔体中加热至其过冷液相区，在牵引力的作用下发生超塑性变形，从而得到微纳米尺度金属玻璃管。本发明制备方法简单易操作，经济高效，所制备的微纳米尺度金属玻璃管表面质量高，连续均匀，且具有高强度，高韧性和良好的导电性。
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