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公开(公告)号：CN102230213B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110150914.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法，属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，再向其中加入质量百分数为30%～80%的过量Te，抽真空熔封并在摇摆炉中合成；将合成结束的石英坩埚放入晶体生长装置中，由于过量Te的加入，晶体的生长温度可以从1092℃～1295℃下降到700～900℃；晶体生长过程开始之前，使石英坩埚处于高温区，使其内部的碲锌镉多晶和溶剂Te均处于液相，然后以0.04～2mm/h的速度上升炉体，温度梯度区的温度梯度在15-25℃/cm，随着温度的降低，溶液中碲锌镉的饱和度下降，则坩埚底部不断饱和析出碲锌镉晶体，同时采用不同的施主掺杂（In、Cl-1、Al等）来提高碲锌镉晶体的电阻率，从而制备出探测器级碲锌镉晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度、晶体中杂质浓度及晶体中的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102220644A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110151562.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
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公开(公告)号：CN103268311A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201210439007.4
申请日：2012-11-07
IPC: G06F17/27
Abstract: 本发明公开一种基于事件结构的中文语句分析方法。该方法是将一个中文句子表示为若干事件指示词和与之对应的事件角色包括非事件角色相关成分的树形结构。该方法的分析步骤是：首先对中文语句进行预处理；其次进行基于事件结构的中文语句分析，找出语句中的事件指示词和与之对应的事件角色，分析多角色成分和非事件角色相关成分；最后对各句子成分进行标签标记，并添加各成分的功能说明，给出树形表示结构的括号表示形式。该方法较适用于中文的句法分析，反映事件要素之间的关系，为语义分析提供支持，并可以反映事件的语言表示方法和表示规律；该方法可以处理非动词的事件指示词，并对修饰成分、介词、连接词和其它成分的语义功能进行说明。
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公开(公告)号：CN102703983A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210196925.9
申请日：2012-06-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及双封套压缩生长碲锌镉晶体坩埚内自由空间的方法及装置。属特殊晶体生长技术领域。本发明要点是：将满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.8)的纯度为99.99999%的Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，依次放入二次封套和一次封套，抽真空至2.0×10-4Pa，在一次封套处封结石英坩埚。将封好的坩埚放入合料炉，缓慢升温至500℃，经一定时间保温后，缓慢升温至物料熔点合料保温。缓慢降温至室温后，合料完毕。然后取出坩埚，在二次封套处，对坩埚进行二次封管。切去尾部一次封套部分，将装有CdZnTe物料的坩埚放入晶体生长炉中进行单晶生长。利用双封套通过二次封管的方法实现了对晶体生长时自由空间体积的压缩，在后续的单晶生长过程中，能有效抑制晶体中Cd空位的形成，从而提高了晶体的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102230213A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110150914.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法，属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，再向其中加入质量百分数为30%～80%的过量Te，抽真空熔封并在摇摆炉中合成；将合成结束的石英坩埚放入晶体生长装置中，由于过量Te的加入，晶体的生长温度可以从1092℃～1295℃下降到700～900℃；晶体生长过程开始之前，使石英坩埚处于高温区，使其内部的碲锌镉多晶和溶剂Te均处于液相，然后以0.04～2mm/h的速度上升炉体，温度梯度区的温度梯度在15-25℃/cm，随着温度的降低，溶液中碲锌镉的饱和度下降，则坩埚底部不断饱和析出碲锌镉晶体，同时采用不同的施主掺杂（In、Cl-1、Al等）来提高碲锌镉晶体的电阻率，从而制备出探测器级碲锌镉晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度、晶体中杂质浓度及晶体中的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN101871123A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010201205.8
申请日：2010-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及移动碲溶剂熔区生长碲锌镉晶体的装置和方法。属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：分别将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x＝0.04～0.8)的99.99999％的高纯原料装入两支石英管内，并向其中一支中加入质量百分数为30％～80％的过量Te，分别抽真空封结并在摇摆炉中合成得多晶棒和富Te合金；依次将籽晶、富Te合金、多晶棒装入长晶管抽真空封接后放入炉体中，富Te合金位置位于高频电磁感应加热器中，温度设置为700～950℃，以0.02～2mm/h的速度上升加热器，同时旋转长晶管；富Te合金区域由于过量Te的加入，熔点显著降低，随着上升，熔体上部不断溶解多晶棒，下部不断析出碲锌镉单晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度和晶体中杂质浓度。
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公开(公告)号：CN106225805A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610531556.2
申请日：2016-07-08
Applicant: 上海大学 , 四川省交通运输厅公路规划勘察设计研究院
IPC: G01C23/00
CPC classification number: G01C23/00
Abstract: 本发明公开了一种测量滚石运动参数的边坡模型实验装置，通过三个可伸缩凹槽连接构成一个三段坡的模型试验装置，可在实验室用来模拟滚石在松散体边坡上的运动。凹槽下部由两个可变高度支架支撑，通过支架高度变化来模拟坡高。调节每个凹槽下部的两个支架，由两个支架产生高度差来使凹槽倾斜，倾斜角度模拟边坡坡角。凹槽内部可以铺设松散体材料，如硬土、水泥砂浆砌体板、人工草皮等，用来模拟不同的坡面特征。在使用此装置时，使岩石从凹槽上部滚下，由两台高速摄像机记录得到滚石运动的轨迹与速度，通过计算可以得到滚石运动时的恢复系数。也可以直接用此装置模拟滚石在典型三段坡中坡角公路平直段的运动距离，用于与运动学计算作为对比。
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公开(公告)号：CN101871123B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010201205.8
申请日：2010-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及移动碲溶剂熔区生长碲锌镉晶体的装置和方法。属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：分别将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x＝0.04～0.8)的99.99999％的高纯原料装入两支石英管内，并向其中一支中加入质量百分数为30％～80％的过量Te，分别抽真空封结并在摇摆炉中合成得多晶棒和富Te合金；依次将籽晶、富Te合金、多晶棒装入长晶管抽真空封接后放入炉体中，富Te合金位置位于高频电磁感应加热器中，温度设置为700～950℃，以0.02～2mm/h的速度上升加热器，同时旋转长晶管；富Te合金区域由于过量Te的加入，熔点显著降低，随着上升，熔体上部不断溶解多晶棒，下部不断析出碲锌镉单晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度和晶体中杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102220644B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110151562.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
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