公开(公告)号：CN110995234B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201911239245.9

申请日：2019-12-06

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 耿鹏飞 ,  宁冰旭 ,  徐灵炎 ,  沈鸣杰

IPC: H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种抑制单粒子瞬态的层叠结构，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；第一PMOS管和第一NMOS管的栅端与用于接收第一信号的第一连接点；第二PMOS管和第二NMOS管的栅端与用于接收第二信号的第二连接点；第二PMOS管的漏端与第一NMOS管的漏端相连，均接输出信号；第一PMOS管的源端与直流电源连接；第一PMOS管的漏端与第二PMOS管的源端相连；第一NMOS管的源端与第二NMOS管的漏端相连；第二NMOS管的源端接地；第一PMOS管和第二PMOS管的第一背栅接在一起后与直流电源连接；第一NMOS管和第二NMOS管的第二背栅接在一起后接地。本发明能够降低单粒子瞬态的影响，可避免逻辑电平错误翻转，从而提高系统的稳定性。

公开(公告)号：CN110995234A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911239245.9

申请日：2019-12-06

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 耿鹏飞 ,  宁冰旭 ,  徐灵炎 ,  沈鸣杰

IPC: H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种抑制单粒子瞬态的层叠结构，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；第一PMOS管和第一NMOS管的栅端与用于接收第一信号的第一连接点；第二PMOS管和第二NMOS管的栅端与用于接收第二信号的第二连接点；第二PMOS管的漏端与第一NMOS管的漏端相连，均接输出信号；第一PMOS管的源端与直流电源连接；第一PMOS管的漏端与第二PMOS管的源端相连；第一NMOS管的源端与第二NMOS管的漏端相连；第二NMOS管的源端接地；第一PMOS管和第二PMOS管的第一背栅接在一起后与直流电源连接；第一NMOS管和第二NMOS管的第二背栅接在一起后接地。本发明能够降低单粒子瞬态的影响，可避免逻辑电平错误翻转，从而提高系统的稳定性。