公开(公告)号：CN119208144A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411328618.0

申请日：2024-09-23

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 王姿方 ,  刘政红 ,  齐瑞生 ,  章亚男

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种SONOS存储器的制造方法，先对第二硬掩膜层进行第一刻蚀刻蚀，然后对选择栅极多晶硅层进行第二刻蚀处理，以去除第一硬掩膜层上的部分厚度的选择栅极多晶硅层，第二硬掩膜层的刻蚀速率小于选择栅极多晶硅层的刻蚀速率；对第二硬掩膜层及剩余的选择栅极多晶硅层进行第三刻蚀处理，以去除部分第二硬掩膜层以及去除第一硬掩膜层上的部分选择栅极多晶硅层，第二硬掩膜层的刻蚀速率等于选择栅极多晶硅层的刻蚀速率；以剩余的第二硬掩膜层为掩膜，对剩余的选择栅极多晶硅层进行第四刻蚀处理，并利用第二硬掩膜层与控制栅之间的选择栅极多晶硅层构成选择栅极。如此，可以改善选择栅极的形貌。

公开(公告)号：CN118870826A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410867341.2

申请日：2024-06-28

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 章亚男 ,  刘政红 ,  齐瑞生

IPC: H10B43/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种SONOS存储器的栅极刻蚀工艺方法，方法包括：步骤1)提供一半导体衬底，SONOS区域形成有第一栅极结构、第一硬掩膜层及第二硬掩膜层，非SONOS区域形成有第二栅极结构、第三硬掩膜层及第四硬掩膜层；步骤2)形成第一侧墙，并形成第二侧墙；步骤3)去除第二硬掩膜层及第四硬掩膜层；步骤4)于通过步骤3)形成的半导体结构的表面形成牺牲氧化层及牺牲氮化层；步骤5)去除第一硬掩膜层及第三硬掩膜层上方的牺牲氮化层；步骤6)去除第一硬掩膜层、第三硬掩膜层及位于第一栅极结构及第二栅极结构侧壁的牺牲氮化层；步骤7)去除牺牲氧化层。通过本发明解决了现有的SONOS存储器的整体性能易受到影响的问题。