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公开(公告)号：CN119947112A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510039649.2
申请日：2025-01-09
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种闪存器件的制造方法。该闪存器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体衬底层；在半导体衬底层上沉积第一栅氧化层；在第一栅氧化层上沉积制作形成ONO层，ONO层包括由下至上依次层叠的底层氧化层、中间氮化物层和顶层氧化层；以中间氮化物层为刻蚀停止层，对ONO层进行干法刻蚀，至少去除ONO层中的顶层氧化层；通过湿法刻蚀去除中间氮化物层；涂覆氢氟酸，去除由于湿法刻蚀侧掏剩余ONO层使得顶层氧化层形成的侧向凸出部；在剩余第一栅氧化层和顶层氧化层上生长形成补偿氧化层；沉积形成HK介质层；制作栅多晶硅层并刻蚀所述HK介质层。
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