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公开(公告)号：CN117721417A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311750060.0
申请日：2023-12-18
Applicant: 上海交通大学 , 哈尔滨工业大学(深圳) , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超耐磨锆合金包壳表面复合涂层及其制备方法，属于核燃料包壳表面涂层技术领域。所述复合涂层从内至外依次包含Mo层、Cr层和CrN层；所述Mo层的组成为Mo纯金属，所述Cr层的组成为Cr纯金属；所述Mo层的厚度为0.5～3μm，所述Cr层的厚度为8～15μm，所述CrN层的厚度为1～6μm。本发明设计的超耐磨锆合金包壳表面复合涂层从内至外依次包含Mo层、Cr层和CrN层；此复合涂层与锆合金基体的结合性较好，且结构均匀致密，耐磨性与抗氧化性能优异，可显著提升燃料包壳正常服役工况性能以及抵御反应堆严重事故的能力。
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公开(公告)号：CN118996363A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411480193.5
申请日：2024-10-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明主要提出一种基于HiPIMS及离子注入技术的Mo‑Ni涂层制备方法，包括将表面覆有DLC膜的工件进行清洗处理后脱水烘干；将工件置于离子注入设备真空室中，进行离子注入处理；将经步骤二处理后的工件放入磁控溅射真空室内，抽真空并进行弧光增强等离子体刻蚀清洗处理；沉积Mo/Ni防扩散层；开启磁控Ni/Mo靶源镀制涂层；关机取样；取出工件进行超声酒精清洗，烘干后放入真空袋存放。本发明综合HiPIMS及离子注入技术，以离子注入提升基底与涂层晶格及膨胀系数匹配度的方法降低膜基间内应力，使用HiPIMS技术在DLC膜上制备具有高结合力的保护性Mo‑Ni涂层，同时缓解DLC膜内应力，显著提升工件使用寿命。
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公开(公告)号：CN118996363B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411480193.5
申请日：2024-10-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明主要提出一种基于HiPIMS及离子注入技术的Mo‑Ni涂层制备方法，包括将表面覆有DLC膜的工件进行清洗处理后脱水烘干；将工件置于离子注入设备真空室中，进行离子注入处理；将经步骤二处理后的工件放入磁控溅射真空室内，抽真空并进行弧光增强等离子体刻蚀清洗处理；沉积Mo/Ni防扩散层；开启磁控Ni/Mo靶源镀制涂层；关机取样；取出工件进行超声酒精清洗，烘干后放入真空袋存放。本发明综合HiPIMS及离子注入技术，以离子注入提升基底与涂层晶格及膨胀系数匹配度的方法降低膜基间内应力，使用HiPIMS技术在DLC膜上制备具有高结合力的保护性Mo‑Ni涂层，同时缓解DLC膜内应力，显著提升工件使用寿命。
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公开(公告)号：CN118291870A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410411422.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: C22C38/06 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/44 , C22C38/48 , C22C38/50 , C22C30/00 , C22C33/04 , C21D1/00 , C21D6/00 , C21D8/02
Abstract: 本发明提供一种基于Sigma相弥散强化的耐蚀奥氏体不锈钢材料及制备方法，在Fe20Cr25NiNb奥氏体不锈钢的基础上，通过增加Cr+Al含量和调控热处理工艺，在奥氏体不锈钢基体内形成大量弥散分布的亚微米Sigma相，起到弥散强化作用，可以显著提高奥氏体不锈钢材料的力学强度；另一方面，在奥氏体不锈钢基础上添加一定量的Al和Ti元素，Al和Ti元素在高温氧化环境中易于形成致密的Al2O3和TiO2氧化膜，保护金属基体，从而提高奥氏体不锈钢材料的高温耐蚀性能。
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公开(公告)号：CN119980230A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510472156.8
申请日：2025-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本申请涉及材料防护技术领域，特别涉及一种耐铅铋涂层及其制备方法，其中，涂层由金属结合层、功能过渡层和耐蚀层组成，其中，金属结合层由高熵合金和中熵合金复合组成，形成成分梯度过渡结构，高熵合金为Fe、Co、Ni、Cr、Al的近等原子比合金，且Al元素含量为5‑10at.%，中熵合金为FeCoNiCr系四元合金；功能过渡层为过渡金属氮化物层；耐蚀层为稀土氧化物与稳定化氧化物的共晶复合层。由此，解决了现有技术中结合强度不足、耐蚀性有限、工艺稳定性差等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118957527B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411450626.2
申请日：2024-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明主要提出一种基于HiPIMS及离子注入技术的FeCrAlY耐磨损腐蚀涂层制备方法，包括：步骤一、将工件依次进行酸洗、清洗、漂洗及脱水烘干；步骤二、将经处理后的工件置于离子注入设备真空室中，进行离子注入处理；步骤三、将工件放入磁控溅射真空室内，进行弧光增强等离子体刻蚀清洗处理；步骤四、沉积Al打底层；步骤五、开启磁控FeCrAlY靶源进行涂层镀制；步骤六、关真空系统；步骤七、取出工件进行超声酒精清洗，烘干后放入真空袋。本发明通过HiPIMS及离子注入技术，在工件上形成FeCrAlY涂层，起到抗高温、耐磨损、耐腐蚀效果，预注入沉积的Al元素可在涂层受损时向外扩散起到自修复作用，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN119320933A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411875200.1
申请日：2024-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/16 , C23C14/54 , G21C13/087
Abstract: 本发明涉及防护涂层技术领域，且公开了一种耐铅铋磨蚀的防护涂层及其制备方法，包括通过周期性连续改变N2气流量获得由CrN相、Cr2N相和Cr相组成的周期性循环梯度结构涂层，所述周期性循环梯度结构涂层中最底层为Cr层，中间层为CrXN层，最顶层为CrN层，CrXN层中包括45～99％的Cr和50～55％的N，所述CrXN厚度范围为0.2～0.4μm。本发明利用CrN陶瓷涂层具有Cr2N和CrN两种相的特点，在制备过程中通过合理调节通入N2气的流量变化，获得具有层状结构和高体积分数陶瓷相。该结构同时保留了高韧性和高硬度。进而使其在高温铅铋磨蚀的表面防护领域中获得优异的表现。
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公开(公告)号：CN118957527A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411450626.2
申请日：2024-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明主要提出一种基于HiPIMS及离子注入技术的FeCrAlY耐磨损腐蚀涂层制备方法，包括：步骤一、将工件依次进行酸洗、清洗、漂洗及脱水烘干；步骤二、将经处理后的工件置于离子注入设备真空室中，进行离子注入处理；步骤三、将工件放入磁控溅射真空室内，进行弧光增强等离子体刻蚀清洗处理；步骤四、沉积Al打底层；步骤五、开启磁控FeCrAlY靶源进行涂层镀制；步骤六、关真空系统；步骤七、取出工件进行超声酒精清洗，烘干后放入真空袋。本发明通过HiPIMS及离子注入技术，在工件上形成FeCrAlY涂层，起到抗高温、耐磨损、耐腐蚀效果，预注入沉积的Al元素可在涂层受损时向外扩散起到自修复作用，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN116685043B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310361430.5
申请日：2023-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种用于对撞机正电子产率优化的注入器结构，包括射频电子枪、热电子枪、多段S波段电子直线加速器、中部电子直线加速器，还包括偏转结构、正电子源、正负电子分离器和正电子阻尼环，所述正负电子分离器和正电子阻尼环设于偏转结构内，所述注入器各个部件之间通过束流传输的真空管道连通，所述注入器末端设有增强器，第三S波段电子直线加速器与第二S波段电子直线加速器之间连接设有周转回路传输线，所述周转回路传输线的左端部连接设有正电子阻尼环。本发明与现有技术相比的优点在于：为了改善现存对撞机正电子系统灵活性不足及产率较低的问题，本发明提出了一种稳定高效、经济实用的用于对撞机正电子产率优化的注入器结构。
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公开(公告)号：CN116685043A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310361430.5
申请日：2023-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开了一种用于对撞机正电子产率优化的注入器结构，包括射频电子枪、热电子枪、多段S波段电子直线加速器、中部电子直线加速器，还包括偏转结构、正电子源、正负电子分离器和正电子阻尼环，所述正负电子分离器和正电子阻尼环设于偏转结构内，所述注入器各个部件之间通过束流传输的真空管道连通，所述注入器末端设有增强器，第三S波段电子直线加速器与第二S波段电子直线加速器之间连接设有周转回路传输线，所述周转回路传输线的左端部连接设有正电子阻尼环。本发明与现有技术相比的优点在于：为了改善现存对撞机正电子系统灵活性不足及产率较低的问题，本发明提出了一种稳定高效、经济实用的用于对撞机正电子产率优化的注入器结构。
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