掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN1256470C

    公开(公告)日:2006-05-17

    申请号:CN200410016774.X

    申请日:2004-03-04

    Abstract: 一种掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法,用于光电子材料领域。方法如下:采用铱坩埚为发热体,原料经焙烧后按比例进行称量;原料经称配,研混均匀后,压紧成块并高温烧结,烧结好的原料置于铱坩埚中,装炉;单晶炉抽高真空,用氧化锆作保温罩及保温材料,惰性气体保护,生长温度1900℃,提拉速度1.5mm/h,晶体转速25rpm,用蓝宝石片及刚玉片改善热场,将带有观察窗口的保温罩外引出一氧化铝泡沫砖,且泡沫砖和保温罩用镍铬丝紧密捆绑,石英片放置在泡沫砖上,并覆盖泡沫砖的观察窗口,刚玉片放置于上保温系统顶部。本发明有效防止了晶体开裂,不仅生长得到了完整b轴Tm:YAP晶体,晶体无色透明,外观良好,有优良的光学性能,也得到了a轴、c轴的完整晶体。

    铝酸钇晶体的生长方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1292106C

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200510027322.6

    申请日:2005-06-30

    Abstract: 一种属于光电子材料技术领域的铝酸钇晶体的生长方法,本发明在YAP晶体生长后期,即晶体等径部分达到预定尺寸后,为避免晶体开裂,减慢提拉速度,缓慢升温使晶体直径逐渐变细,待晶体直径达到6-8mm时,然后恒温生长晶体一段时间,最后分六阶段缓慢降至室温,在降温过程中,若晶体已被拉出保温罩,则将提拉速度设置为零,若没有被拉出保温罩,则继续上引,为防止晶体被扭断,埚内余料凝固前需关掉晶转,开炉后取出坩埚,此时晶体与坩埚内余料粘在一起,将晶体与熔体在细径处分离,即可得到完整的YAP晶体。本发明简单易行,可操作性强,不但减少了晶体开裂的几率,而且提高了铝酸钇晶体的成品率和光学均匀性,节约了电能,降低了生产成本。

    输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺

    公开(公告)号:CN1556261A

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN200410015657.1

    申请日:2004-01-08

    Abstract: 一种输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺,属于光电子材料领域。本发明晶体的分子式为Tm:YAlO3,Tm3+为掺杂离子,其掺杂浓度在4-12at%,余量为基质YAP,即Y2O3和Al2O3的原子比为1∶1。工艺步骤如下:采用中频感应加热提拉法生长Tm:YAP晶体,发热体为铱坩埚,原料经焙烧后按比例称量;原料经称配,研混均匀后,在液压机下压紧成块并在1300℃的高温下烧结发生固相反应,烧结好的原料放在干燥箱内保存;用氧化锆作保温罩及保温材料,并用石英片封住观察窗口,采用惰性气体保护,生长温度1900℃,提拉速度1.5mm/h,晶体转速25rpm,生长Tm:YAP晶体。用本发明晶体制成的固体激光器转换效率高,对人眼安全,可用于军事雷达、生物医学、环境保护等诸多领域中。

    铝酸钇晶体的生长方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1724724A

    公开(公告)日:2006-01-25

    申请号:CN200510027322.6

    申请日:2005-06-30

    Abstract: 一种属于光电子材料技术领域的铝酸钇晶体的生长方法,本发明在YAP晶体生长后期,即晶体等径部分达到预定尺寸后,为避免晶体开裂,减慢提拉速度,缓慢升温使晶体直径逐渐变细,待晶体直径达到6-8mm时,然后恒温生长晶体一段时间,最后分六阶段缓慢降至室温,在降温过程中,若晶体已被拉出保温罩,则将提拉速度设置为零,若没有被拉出保温罩,则继续上引,为防止晶体被扭断,埚内余料凝固前需关掉晶转,开炉后取出坩埚,此时晶体与坩埚内余料粘在一起,将晶体与熔体在细径处分离,即可得到完整的YAP晶体。本发明简单易行,可操作性强,不但减少了晶体开裂的几率,而且提高了铝酸钇晶体的成品率和光学均匀性,节约了电能,降低了生产成本。

    掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN1560329A

    公开(公告)日:2005-01-05

    申请号:CN200410016774.X

    申请日:2004-03-04

    Abstract: 一种掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法,用于光电子材料领域。方法如下:采用铱坩埚为发热体,原料经焙烧后按比例进行称量;原料经称配,研混均匀后,压紧成块并高温烧结,烧结好的原料置于铱坩埚中,装炉;单晶炉抽高真空,用氧化锆作保温罩及保温材料,惰性气体保护,生长温度1900℃,提拉速度1.5mm/h,晶体转速25rpm,用蓝宝石片及刚玉片改善热场,将带有观察窗口的保温罩外引出一氧化铝泡沫砖,且泡沫砖和保温罩用镍铬丝紧密捆绑,石英片放置在泡沫砖上,并覆盖泡沫砖的观察窗口,刚玉片放置于上保温系统顶部。本发明有效防止了晶体开裂,不仅生长得到了完整b轴Tm:YAP晶体,晶体无色透明,外观良好,有优良的光学性能,也得到了a轴、c轴的完整晶体。

Patent Agency Ranking