输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺

    公开(公告)号:CN1556261A

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN200410015657.1

    申请日:2004-01-08

    IPC分类号: C30B29/28 C30B15/04

    摘要: 一种输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺,属于光电子材料领域。本发明晶体的分子式为Tm:YAlO3,Tm3+为掺杂离子,其掺杂浓度在4-12at%,余量为基质YAP,即Y2O3和Al2O3的原子比为1∶1。工艺步骤如下:采用中频感应加热提拉法生长Tm:YAP晶体,发热体为铱坩埚,原料经焙烧后按比例称量;原料经称配,研混均匀后,在液压机下压紧成块并在1300℃的高温下烧结发生固相反应,烧结好的原料放在干燥箱内保存;用氧化锆作保温罩及保温材料,并用石英片封住观察窗口,采用惰性气体保护,生长温度1900℃,提拉速度1.5mm/h,晶体转速25rpm,生长Tm:YAP晶体。用本发明晶体制成的固体激光器转换效率高,对人眼安全,可用于军事雷达、生物医学、环境保护等诸多领域中。

    高效铝熔体喷雾除氢方法

    公开(公告)号:CN1488768A

    公开(公告)日:2004-04-14

    申请号:CN03150488.4

    申请日:2003-08-21

    发明人: 巫瑞智 孙宝德

    IPC分类号: C22B21/06 C22B9/05

    摘要: 一种铝熔体喷雾除氢方法,属于冶金领域。本发明通过喷嘴把进入处理槽之前的铝熔体变成雾滴状喷射流,在处理槽的底部通入净化气体,雾滴状喷射流与净化气体流逆向运动,雾滴中的氢通过扩散进入净化气体中,完成除氢任务的净化气体被回收并经回收处理后,又回到处理槽对雾滴状熔体进行净化,这样循环进行,达到除氢的目的。本发明可由喷嘴控制熔体液滴的尺寸及喷射射流的分布;包围在雾滴状熔体周围的气体的体积比熔体的体积大得多,因此其对氢的容纳能力远大于熔体对氢的容纳能力,可更加彻底地除氢;处理槽是密封的,有效地避免了熔体的吸氢;完成净化任务的净化气体经回收并进行相应的处理后可以循环使用,这大大节约了处理成本。

    铝熔体除氢旋转喷吹仪移动式定位装置

    公开(公告)号:CN1472348A

    公开(公告)日:2004-02-04

    申请号:CN03129392.1

    申请日:2003-06-19

    IPC分类号: C22B9/05 C22B21/06

    摘要: 一种铝熔体除氢旋转喷吹仪移动式定位装置,属于金属净化处理领域。本发明在旋转喷头下降时旋转喷头的支架经过的机座位置处设置一个固定的滑板,此滑板通过镙钉或焊接的形式固定在机座上,在滑板上设置两个滑槽,行程开关通过这两个滑槽设置在滑板上,使得行程开关既可以固定在滑板上,又可以在需要的时候在滑板上上下移动。本发明结构合理,既有效地防止了旋转喷头下降过度而造成的设备损坏,同时还可以灵活地改变旋转喷头下降的最低位置,适应不同尺寸的铝液处理炉(或流槽),从而明显地提高了铝熔体除氢旋转喷吹仪的安全性和适应性。

    铝熔体除氢旋转喷吹仪挡板

    公开(公告)号:CN1450183A

    公开(公告)日:2003-10-22

    申请号:CN03116605.9

    申请日:2003-04-24

    IPC分类号: C22B21/06 C22B9/05

    摘要: 一种铝熔体除氢旋转喷吹仪挡板,属于金属熔体净化处理领域。本发明包括两个部分:圆筒部分和平板,这两个部分是连体的,挡板与熔体表面层接触的部分采用圆筒形状,即为圆筒部分,圆筒部分套在旋转喷吹仪的旋转转子外面,在熔体表面层以下部分采用平板的形式,平板从圆筒部分下部引出。本发明结构合理,有效地减弱了在旋转喷吹除氢过程铝熔体产生的旋涡,同时还避免了由于挡板的存在而破坏熔体表面层的现象,使除氢过程中熔体从空气中的吸氢显著降低,从而明显地提高了除氢效率。

    铝熔体除氢旋转喷吹仪挡板

    公开(公告)号:CN1233859C

    公开(公告)日:2005-12-28

    申请号:CN03116605.9

    申请日:2003-04-24

    IPC分类号: C22B21/06 C22B9/05

    摘要: 一种铝熔体除氢旋转喷吹仪挡板,属于金属净化处理领域。本发明包括圆筒部分和平板,圆筒部和平板这两个部分是连体的,挡板的上部采用圆筒形状,即为圆筒部分,圆筒部分套在旋转喷吹仪的旋转转子外面,与熔体的表面层接触,平板从处于熔体表面层以下的圆筒部分的下端部水平径向引出,处于熔体表面层以下的位置,其特征在于,在接近熔池的径向边缘处,平板在垂直方向上往熔体的纵深方向深入,形成一个倒L字形的平板。本发明结构合理,有效地减弱了在旋转喷吹除氢过程铝熔体产生的旋涡,同时还避免了由于挡板的存在而破坏熔体表面层的现象,使除氢过程中熔体从空气中的吸氢显著降低,从而明显地提高了除氢效率。

    铝熔体喷雾除氢方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1226431C

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN03150488.4

    申请日:2003-08-21

    发明人: 巫瑞智 孙宝德

    IPC分类号: C22B21/06 C22B9/05

    摘要: 一种铝熔体喷雾除氢方法,属于冶金领域。本发明通过喷嘴把进入处理槽之前的铝熔体变成雾滴状喷射流,在处理槽的底部通入净化气体,雾滴状喷射流与净化气体流逆向运动,雾滴中的氢通过扩散进入净化气体中,完成除氢任务的净化气体被回收并经回收处理后,又回到处理槽对雾滴状熔体进行净化,这样循环进行,达到除氢的目的。本发明可由喷嘴控制熔体液滴的尺寸及喷射射流的分布;包围在雾滴状熔体周围的气体的体积比熔体的体积大得多,因此其对氢的容纳能力远大于熔体对氢的容纳能力,可更加彻底地除氢;处理槽是密封的,有效地避免了熔体的吸氢;完成净化任务的净化气体经回收并进行相应的处理后可以循环使用,这大大节约了处理成本。

    铝熔体除氢旋转喷头
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1560290A

    公开(公告)日:2005-01-05

    申请号:CN200410016858.3

    申请日:2004-03-11

    IPC分类号: C22B9/05

    摘要: 一种铝熔体除氢旋转喷头,用于金属熔体净化处理领域。本发明包括两个部分:圆筒定子和旋转喷头转子,圆筒定子套于旋转转子的外面,圆筒定子套于旋转转子的外面,在旋转转子喷头的高度处,在圆筒定子的圆周上均匀地分布着一些长条形缺口。本发明结构合理,不但能高效地对气泡进行剪切细化并使气泡均匀分布于铝熔体,而且有效地避免了在旋转喷吹除氢过程铝熔体产生的旋涡,同时还避免了由于挡板的存在而破坏熔体表面层的现象,使除氢过程中熔体从空气中的吸氢显著降低,从而明显地提高了除氢效率。

    等离子喷涂枪
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1169410C

    公开(公告)日:2004-09-29

    申请号:CN02137756.1

    申请日:2002-10-31

    IPC分类号: H05H1/24 B23K9/04

    摘要: 一种等离子喷涂枪属于焊接领域。主要包括:枪体、绝缘体、气体旋流环、分流器、阳极喷嘴、前压帽、阴极体、内压帽、绝缘套、外压帽,阳极喷嘴通过内压帽与枪体相连接,分流器通过紧配合固定在枪体内部,气体旋流环和绝缘体通过内压帽与枪体相连接,阴极体通过绝缘套、外压帽及绝缘体固定在枪体内部。本发明枪体采取一体化结构设计,保证了喷涂枪各部件的轴对中性及枪体结构紧凑美观,并结合分流和小孔截流设计,从结构上既提高了冷却水的流速,又保证了散热及冷却均匀性,大大提高了喷涂枪特别是阴阳极结构的寿命,设计多种喷嘴结构及特殊的送粉结构,可根据材料的性能,选用不同规格的亚音速或超音速喷嘴结构,选用内送粉或外送粉两种方式。

    仿生结构陶瓷复合粉体
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1472173A

    公开(公告)日:2004-02-04

    申请号:CN03129395.6

    申请日:2003-06-19

    IPC分类号: C04B35/628 B22F1/02 C23C4/10

    摘要: 一种仿生结构陶瓷复合粉体,属于陶瓷材料领域。本发明由心部粉体和外包覆材料组成,心部粉体所占重量百分比为85~97%,余量为外包覆材料,为类海葵生物的夹心面包式结构,心部粉体材料是烧结型单一组分陶瓷颗粒或多组分复合陶瓷颗粒,或者是团聚型单一组成陶瓷颗粒或多组分复合颗粒,外包覆材料为相对低熔点的氧化物或自粘结性金属复合材料。本发明粉体内部各组份之间结合紧密,流动性好,具有良好的输送特性,能够作为热喷涂技术、激光熔覆及陶瓷烧结等用粉体,可以制备性能优异的复合陶瓷涂层或块体,具有良好的市场应用前景及商业价值。

    掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN1256470C

    公开(公告)日:2006-05-17

    申请号:CN200410016774.X

    申请日:2004-03-04

    IPC分类号: C30B15/00 C30B15/04 C30B29/24

    摘要: 一种掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法,用于光电子材料领域。方法如下:采用铱坩埚为发热体,原料经焙烧后按比例进行称量;原料经称配,研混均匀后,压紧成块并高温烧结,烧结好的原料置于铱坩埚中,装炉;单晶炉抽高真空,用氧化锆作保温罩及保温材料,惰性气体保护,生长温度1900℃,提拉速度1.5mm/h,晶体转速25rpm,用蓝宝石片及刚玉片改善热场,将带有观察窗口的保温罩外引出一氧化铝泡沫砖,且泡沫砖和保温罩用镍铬丝紧密捆绑,石英片放置在泡沫砖上,并覆盖泡沫砖的观察窗口,刚玉片放置于上保温系统顶部。本发明有效防止了晶体开裂,不仅生长得到了完整b轴Tm:YAP晶体,晶体无色透明,外观良好,有优良的光学性能,也得到了a轴、c轴的完整晶体。