公开(公告)号：CN115983178A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310093459.X

申请日：2023-02-02

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 杨睿 ,  贾越洋

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物忆阻器的通用紧凑模型的实现方法，包括：基于导电细丝的电阻值和长度，获得电场增益参数；进而获得置位过程中进入顶电极的氧离子浓度，以及复位过程中释放的氧离子的浓度；并对置位和和复位过程中氧空穴的生成和复合之间的竞争过程进行建模，构建忆阻器的通用模型。此通用模型可以解释并复现在金属氧化物忆阻器在复位过程中的多种非常规编写特性。基于此通用模型，提出了通过调节器件制造过程中工艺参数，工作过程中的编写电压和电流参数，调控氧离子进出电极的势垒，从而对单极和双极模式忆阻器、以及渐变和突变的编写方式进行调控的方法，改善了对于忆阻器编写特性的调控能力。

公开(公告)号：CN115623791A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211240597.8

申请日：2022-10-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 杨睿 ,  谢茂松 ,  贾越洋

IPC: H10B80/00

Abstract: 本发明公开了一种高密度单片三维集成存储系统的制备方法，包括：三维忆阻器制备环节、三维忆阻器与二维晶体管的连接装置制备环节与二维晶体管制备环节；所述二维晶体管制备环节中的二维半导体材料生长环节通过去离子水辅助转移、热释放胶带辅助转移或基底蚀刻辅助转移与二维晶体管器件制备环节分离再结合。该方法能够降低三维集成存储系统制备工艺中的制备温度，同时提高忆阻器的存储密度。及应用该方法制备的高密度单片三维集成存储系统。

公开(公告)号：CN118137998A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410295168.3

申请日：2024-03-14

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 杨睿 ,  刘祖衡 ,  魏建勇

IPC: H03H3/007

Abstract: 本发明公开了一种基于有机辅助层热分解的层状材料悬空器件的制备方法，涉层状材料悬空器件技术领域。包括如下步骤：步骤1、将聚甲基丙烯酸甲酯旋涂至覆盖有层状材料的生长基底后，烘焙干燥，通过剥离或刻蚀的方法得到层状材料和聚甲基丙烯酸甲酯有机辅助层构成的复合薄膜；步骤2、将复合薄膜附着到预先加工的表面带有微沟槽和接触电极的转移基底后，加热展平材料；步骤3、将步骤(2)展平后的材料进行有机辅助层的热分解，即得层状薄膜材料的悬空器件阵列。本发明制备得到的材料表面平整无裂缝无褶皱，避免了溶液刻蚀有机层造成的悬空器件坍塌问题，且各操作步骤均无需显微操作，可通过自动化方式替代，从而实现大规模层状材料悬空器件加工。

公开(公告)号：CN118093505A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410206769.2

申请日：2024-02-26

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 杨睿 ,  孙嘉昊

IPC: G06F15/78 ,  G11C11/41 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器阵列的碰撞检测加速器及其使用方法，包括第一、第二、第三存储器阵列、中央处理器、时序控制电路、信号“0”产生器，第一存储器阵列为传统的静态随机存取存储器阵列，被配置为存储动态环境编码；第二存储器阵列为大规模基于忆阻器的三态内容寻址存储器阵列，被配置为存储所有机器人轨迹编码，并逐步接收来自第一存储器阵列的行数据；第三存储器阵列为基于静态随机存取存储器的内容寻址存储器阵列，被配置为存储来自第二存储器阵列的搜索结果；环境编码和轨迹编码基于三态内容寻址存储器的扩展八叉树进行编码和建立逻辑映射表格；中央处理器控制第一存储器阵列和时序控制电路，并接收来自第三存储器阵列的匹配结果。

公开(公告)号：CN115310573A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210950333.5

申请日：2022-08-09

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陈松良 ,  杨睿 ,  宛楠 ,  张鹏程 ,  刘祖衡

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/06

Abstract: 本发明公开了一种二维码皮下微芯片，包括基底和设置其上的至少两种图案元素，该图案元素被设置为可被基于超声的成像装置识别，并被转化为对应的二维码的黑色元素和白色元素。本发明还提供了一种二维码皮下微芯片的制造方法，在选择基于超声的成像方式后，根据该成像方式，选择所述微芯片的材料和结构，确定所述微芯片的每个图案元素的尺寸，并最终制造微芯片。本发明的微芯片应用在个人识别和认证中，可以植入个人的皮肤下，通过基于超声的成像装置识别。本发明可以应用在各种身份识别和认证中，使用方便，不会忘记、放错、或丢失，且与基于暴露在外的生物特征识别或物理实体令牌识别相比，可以提供更好的隐私和安全性。

公开(公告)号：CN117012241A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310986869.7

申请日：2023-08-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 杨睿 ,  张艺鉴

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/10

Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的多比特内容寻址存储器电路的实现方法，涉及集成电路和计算机技术领域。本发明建立多比特三元内容可寻址存储器电路架构，在传统的TCAM电路上优化灵敏放大器，增加时间‑数字转换电路以及时钟自参考电路；将TCAM阵列其中一行的灵敏放大器的输出作为后续时间‑数字转换电路的时钟输入。本发明实现了TCAM输出具体的不匹配位数，解决了汉明距离计算等此前在TCAM电路中难以解决的问题；有效地解决了阵列内部时间‑数字转换电路的时钟选择问题，同时消除了工艺角、工作电压等因素对TCAM搜索匹配结果的影响。