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公开(公告)号：CN115623791A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211240597.8
申请日：2022-10-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: H10B80/00
Abstract: 本发明公开了一种高密度单片三维集成存储系统的制备方法，包括：三维忆阻器制备环节、三维忆阻器与二维晶体管的连接装置制备环节与二维晶体管制备环节；所述二维晶体管制备环节中的二维半导体材料生长环节通过去离子水辅助转移、热释放胶带辅助转移或基底蚀刻辅助转移与二维晶体管器件制备环节分离再结合。该方法能够降低三维集成存储系统制备工艺中的制备温度，同时提高忆阻器的存储密度。及应用该方法制备的高密度单片三维集成存储系统。
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