-
公开(公告)号：CN114815048B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210229813.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法，包括：从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层，即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构，利用氮化铝材料的优良特性，实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。
-
公开(公告)号：CN115542459A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211265859.6
申请日：2022-10-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基钽酸锂混合波导及其制备方法，该混合波导由上而下依次包括：非晶硅层、用于防止沉积非晶硅时出现黑点杂质影响波导传输效果的薄膜氧化硅层、用于传输TE模的钽酸锂层、氧化硅掩埋层和硅衬底，其中：非晶硅层、薄膜氧化硅层和钽酸锂层沉积形成层次结构，作为波导结构中用于光传播的结构层。本发明在LTO晶圆上通过沉积和刻蚀技术实现硅与钽酸锂异质集成的混合波导结构，光场会在传播过程中泄露到所述的波导的钽酸锂层中，从而实现光的钽酸锂层局域化，通过上述过程可以将钽酸锂这一具有优良特性的材料引入集成光波导中，实现对传统硅基光波导的突破。
-
公开(公告)号：CN117930429A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211265865.1
申请日：2022-10-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅‑碳化硅结构混合波导及其制备方法，制备得到的波导由上而下依次包括：氧化硅包层、硅波导层、碳化硅层、氧化硅掩埋层和硅衬底，该混合波导核心为：硅波导层、氧化硅包层和用于传输TE模或TM模的碳化硅层。本发明充分利用碳化硅材料的优良特性，通过离子切割和层转移技术制备，无需离子注入工艺，因此本发明的工艺与CMOS兼容。通过将光模场局限在碳化硅中使得其优良的光电学特性得以利用在传输过程中，碳化硅材料的优良特性可以克服传统硅的部分限制，并且与微电子CMOS工艺相兼容，制备过程较简单。
-
公开(公告)号：CN118033817A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211409485.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于碳化硅片上集成的偏振分束旋转器，包括：衬底以及依次设置于其上的掩埋氧化硅层、碳化硅层和设置于碳化硅层上的能够同时传播TE模和TM模的硅波导，该硅波导包括：一个绝热锥度结构和一个非对称定向耦合器，其中：绝热锥度结构在输入端为单模结构，而在另一端为多模结构。本发明通过将光模场局限在碳化硅中使得其优良的光电学特性得以利用在传输过程，利用碳化硅材料的优良特性克服传统硅的部分限制，通过离子切割和层转移技术制备，无需离子注入工艺且与CMOS兼容，制备过程较简单。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118033816A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211409410.2
申请日：2022-11-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于碳化硅片上集成且同时传播TE模和TM模的偏振分束器，包括：硅衬底、碳化硅层、掩埋氧化硅层、输入波导、输出波导以及位于其间的中间波导，输入波导设置于中间波导上侧，输出波导设置于中间波导下侧，通过输出波导和中间波导满足TM模式的相位匹配条件而不满足TE模式的相位匹配条件以及输入波导、输出波导和中间波导之间的耦合实现偏振分束的极化处理。本发明充分利用碳化硅材料的优良特性以克服传统硅的部分限制，满足TM模式的相位匹配条件而不满足TE模式的相位匹配条件，再通过不同宽度的硅波导发生耦合，从而实现偏振分束的极化处理功能的同时与微电子CMOS工艺相兼容，制备过程较简单。
-
公开(公告)号：CN114815048A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210229813.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法，包括：从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层，即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构，利用氮化铝材料的优良特性，实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。
-
公开(公告)号：CN117930430A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211307438.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于硅‑二氧化铪‑硅混合波导及其制备方法，由上而下依次包括：硅波导层、二氧化铪层、硅层、掩埋氧化硅层和硅基层，该混合波导可传播TE模和TM模，其中：二氧化铪层的厚度改变导致光模场局域在二氧化铪层的比例值改变，即：光模场局域在二氧化铪层的比例与二氧化铪厚度正相关；在二氧化铪层为100nm时，光模场局域在二氧化铪层的比例为0.51。本发明通过异质集成结构引入二氧化铪材料，将二氧化铪的压电，线性电光等效应应用到集成光波导结构中并与微电子CMOS工艺相兼容，制备过程较为简单。
-
公开(公告)号：CN114114680A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111494140.5
申请日：2021-12-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 一种超紧凑谐振腔的逆向设计实现方法，根据光学反射镜的初始条件，将解空间划分为若干个面积相等的亚波长单元，通过迭代更新亚波长单元的材料并计算对应的折射率分布的梯度矩阵，直至评价函数的值达到所需要的目标值。本发明充分利用材料的折射率变化，即光学逆向设计了包含TE0‑TE1反射镜以及TE1‑TE0反射镜的超紧凑谐振腔，实现在反射率与传统的反射镜相同的情况下，尽可能的减小器件的占地面积，进而提升集成光学器件的集成度。通过逆向设计优化谐振腔的结构，不仅减小了谐振腔的尺寸，还能实现较高的耦合效率。
-
公开(公告)号：CN217121749U
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202220700135.9
申请日：2022-03-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请实施例提供一种液态金属增材制造装置及增材制造系统，涉及打印领域。液态金属增材制造装置包括坩埚，坩埚内靠近顶部的位置设置有柱塞，柱塞和坩埚共同形成相对密封且能够注满金属液的储液腔，柱塞能相对坩埚的底面上下移动，坩埚的底面设置有与储液腔连通的喷嘴；坩埚的下方还设置有冷却模具，且冷却模具和坩埚能够相对运动。本申请实施例中的液态金属增材制造装置及增材制造系统，能更精确地控制打印液的喷出量，而且不会引入气体，能提高3D打印出的成品的质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.018 seconds)
