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公开(公告)号：CN117930429A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211265865.1
申请日：2022-10-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅‑碳化硅结构混合波导及其制备方法，制备得到的波导由上而下依次包括：氧化硅包层、硅波导层、碳化硅层、氧化硅掩埋层和硅衬底，该混合波导核心为：硅波导层、氧化硅包层和用于传输TE模或TM模的碳化硅层。本发明充分利用碳化硅材料的优良特性，通过离子切割和层转移技术制备，无需离子注入工艺，因此本发明的工艺与CMOS兼容。通过将光模场局限在碳化硅中使得其优良的光电学特性得以利用在传输过程中，碳化硅材料的优良特性可以克服传统硅的部分限制，并且与微电子CMOS工艺相兼容，制备过程较简单。
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公开(公告)号：CN118033817A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211409485.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于碳化硅片上集成的偏振分束旋转器，包括：衬底以及依次设置于其上的掩埋氧化硅层、碳化硅层和设置于碳化硅层上的能够同时传播TE模和TM模的硅波导，该硅波导包括：一个绝热锥度结构和一个非对称定向耦合器，其中：绝热锥度结构在输入端为单模结构，而在另一端为多模结构。本发明通过将光模场局限在碳化硅中使得其优良的光电学特性得以利用在传输过程，利用碳化硅材料的优良特性克服传统硅的部分限制，通过离子切割和层转移技术制备，无需离子注入工艺且与CMOS兼容，制备过程较简单。
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公开(公告)号：CN118033816A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211409410.2
申请日：2022-11-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于碳化硅片上集成且同时传播TE模和TM模的偏振分束器，包括：硅衬底、碳化硅层、掩埋氧化硅层、输入波导、输出波导以及位于其间的中间波导，输入波导设置于中间波导上侧，输出波导设置于中间波导下侧，通过输出波导和中间波导满足TM模式的相位匹配条件而不满足TE模式的相位匹配条件以及输入波导、输出波导和中间波导之间的耦合实现偏振分束的极化处理。本发明充分利用碳化硅材料的优良特性以克服传统硅的部分限制，满足TM模式的相位匹配条件而不满足TE模式的相位匹配条件，再通过不同宽度的硅波导发生耦合，从而实现偏振分束的极化处理功能的同时与微电子CMOS工艺相兼容，制备过程较简单。
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