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公开(公告)号：CN114815048A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210229813.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法，包括：从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层，即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构，利用氮化铝材料的优良特性，实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。
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公开(公告)号：CN114815048B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210229813.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法，包括：从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层，即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构，利用氮化铝材料的优良特性，实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。
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公开(公告)号：CN115542459A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211265859.6
申请日：2022-10-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基钽酸锂混合波导及其制备方法，该混合波导由上而下依次包括：非晶硅层、用于防止沉积非晶硅时出现黑点杂质影响波导传输效果的薄膜氧化硅层、用于传输TE模的钽酸锂层、氧化硅掩埋层和硅衬底，其中：非晶硅层、薄膜氧化硅层和钽酸锂层沉积形成层次结构，作为波导结构中用于光传播的结构层。本发明在LTO晶圆上通过沉积和刻蚀技术实现硅与钽酸锂异质集成的混合波导结构，光场会在传播过程中泄露到所述的波导的钽酸锂层中，从而实现光的钽酸锂层局域化，通过上述过程可以将钽酸锂这一具有优良特性的材料引入集成光波导中，实现对传统硅基光波导的突破。
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