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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114554688A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210161488.0
申请日：2022-02-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于电热兼容的多层LTCC基板的发射前端装置，包括：第一和第二表面贴装单元、设置于第一表面贴装单元外侧的用于保护芯片以及设有信号输入输出口的中空围墙结构单元以及设置于第一和第二表面贴装单元之间的电源供电以及数字电路布线单元、用于连通各个芯片的输入输出信号的无源电路互连单元和接地散热单元，输入信号通过中空围墙单元输入无源电路互连单元的带状线功分器，并进一步输出至表面贴装单元上的元器件，并通过微带线和金属键合线信号传输后通过中空围墙单元输出信号。本发明能够保证功率放大器芯片去耦要求的同时，满足了大面积散热地的需求，从而实现多芯片组件高密度封装下的高性能和高散热能力。
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公开(公告)号：CN115138536B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210752592.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提出一种埋置芯片封装基板匀胶气泡的真空处理方法及装置，针对埋置芯片封装方式，采用具备真空环境的匀胶机装置，在旋涂光刻胶前或在真空环境下旋涂光刻胶并进行去气泡处理，实现匀胶后表面平整，内部无气泡残留。本发明只需要单次涂覆光刻胶就能实现后续工序对光刻胶的需求，不需要多次涂覆光刻胶，工艺步骤上大为简化，且对于不同黏度的光刻胶有对应的真空处理方法，有利于后续金属布线等操作，封装的成功率与性能得到有效提高。
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公开(公告)号：CN115138536A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210752592.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提出一种埋置芯片封装基板匀胶气泡的真空处理方法及装置，针对埋置芯片封装方式，采用具备真空环境的匀胶机装置，在旋涂光刻胶前或在真空环境下旋涂光刻胶并进行去气泡处理，实现匀胶后表面平整，内部无气泡残留。本发明只需要单次涂覆光刻胶就能实现后续工序对光刻胶的需求，不需要多次涂覆光刻胶，工艺步骤上大为简化，且对于不同黏度的光刻胶有对应的真空处理方法，有利于后续金属布线等操作，封装的成功率与性能得到有效提高。
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公开(公告)号：CN114554688B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210161488.0
申请日：2022-02-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于电热兼容的多层LTCC基板的发射前端装置，包括：第一和第二表面贴装单元、设置于第一表面贴装单元外侧的用于保护芯片以及设有信号输入输出口的中空围墙结构单元以及设置于第一和第二表面贴装单元之间的电源供电以及数字电路布线单元、用于连通各个芯片的输入输出信号的无源电路互连单元和接地散热单元，输入信号通过中空围墙单元输入无源电路互连单元的带状线功分器，并进一步输出至表面贴装单元上的元器件，并通过微带线和金属键合线信号传输后通过中空围墙单元输出信号。本发明能够保证功率放大器芯片去耦要求的同时，满足了大面积散热地的需求，从而实现多芯片组件高密度封装下的高性能和高散热能力。
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公开(公告)号：CN115148608A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210752582.3
申请日：2022-06-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/16
Abstract: 本发明提出一种硅基SU‑8薄膜封装的散热优化方法，采用埋置封装方式，在埋置芯片的背面设置钼铜片，在硅基板正面通过SU‑8光刻胶上金属图形实现布线互连，在背面通过硅片减薄处理使得钼铜片从硅基板表面露出并直接与热沉相接触，实现散热优化。本发明采用SU‑8光刻胶作为封装介质，结合硅衬底进行MEMS工艺，实现丰富的三维结构，完成封装的高集成度和小型化要求。
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