公开(公告)号：CN116931299A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310765930.5

申请日：2023-06-27

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 周林杰 ,  刘世昌 ,  杨星 ,  陆梁军 ,  李雨 ,  陈建平

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02F1/01 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B6/14

Abstract: 一种基于亚波长光栅的非易失波导移相器，包括基层，以及固定在该基层上的异质集成波导结构和硅波导模斑转换结构，异质集成波导结构的两端对称连接所述的硅波导模斑转换结构。本发明具有结构紧凑、插入损耗低、驱动电压小、相变功耗低、相位调节非易失等优点，通过将相变材料分块形成亚波长光栅结构获得更高的可重构次数，可以作为集成光电子芯片中的核心光路调控器件。

公开(公告)号：CN116243423A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310229530.2

申请日：2023-03-10

Applicant: 上海交通大学 ,  上海交大平湖智能光电研究院

Inventor： 周林杰 ,  刘世昌 ,  杨星 ,  陆梁军 ,  李雨 ,  陈建平

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12

Abstract: 一种硅‑相变材料异质集成波导结构，包括硅平板层，以及沉积在该硅平板层上的相变材料。以及一种非易失波导移相器，包括基层，以及固定在该基层上的异质集成波导结构和硅波导模斑转换结构，异质集成波导结构的两端对称连接所述的硅波导模斑转换结构；硅波导模斑转换结构，包括呈轴对称设置的两个由窄变宽的硅波导，以及设置在该两个硅波导上方之间的由宽变窄的脊形波导；氧化铝薄膜覆盖在相变材料的上方，在所述的氧化铝薄膜上方的是单层石墨烯，该单层石墨烯上是金属层，所述的金属层包括二个金属电极。单层石墨烯与金属电极形成欧姆接触，电流通过石墨烯产生热量，经单层石墨烯下方的氧化铝薄膜进行传导，提供低损耗相变材料相变所需的热量。本发明移相器具有结构紧凑、插入损耗低、驱动电压小、相变功耗低、相位调节非易失等优点，可以作为集成光电子芯片中的核心光路调控器件。