公开(公告)号：CN102148192B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201010613156.9

申请日：2010-12-30

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张丛春 ,  侯捷 ,  严春平 ,  丁桂甫 ,  汪红 ,  杨春生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34

Abstract: 一种半导体技术领域的在硅通孔表面生长阻挡层与种子层的方法，通过对具有硅通孔的基片依次进行Ti沉积和湿法氧化后得到具有阻挡层和种子层的硅通孔结构。本发明利用了TiO2良好的稳定性和导电性能，不易起化学变化，且与Cu结合力较强的特性。制备得到的阻挡层厚度为200nm-1000nm，氧化后所得种子层导电性能良好，具有较高的电导率，厚度均匀，台阶覆盖性好。在SEM下氧化钛表面为柱状结构，有利于Cu和种子层的结合。

公开(公告)号：CN102148192A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010613156.9

申请日：2010-12-30

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张丛春 ,  侯捷 ,  严春平 ,  丁桂甫 ,  汪红 ,  杨春生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34

Abstract: 一种半导体技术领域的一种在硅通孔表面生长阻挡层与种子层的方法，通过对具有硅通孔的基片依次进行Ti沉积和湿法氧化后得到具有阻挡层和种子层的硅通孔结构。本发明利用了TiO2良好的稳定性和导电性能，不易起化学变化，且与Cu结合力较强的特性。制备得到的阻挡层厚度为200nm-1000nm，氧化后所得种子层导电性能良好，具有较高的电导率，厚度均匀，台阶覆盖性好。在SEM下氧化钛表面为柱状结构，有利于Cu和种子层的结合。

公开(公告)号：CN101905851A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010243115.5

申请日：2010-08-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张丛春 ,  王娟 ,  吴义伯 ,  侯捷 ,  钱群

IPC: B81B3/00 ,  F03G7/06

Abstract: 一种微机电系统技术领域的基于氧化铝薄膜与聚合物联合作用的电热微驱动器，包括：热基座、氧化铝结构层、镍电阻丝发热层和聚合物功能辅助层，其中：镍电阻丝发热层、氧化铝结构层和热基座依次由上而下设置，所述的氧化铝结构层为重叠部和悬臂梁部构成的T字型结构，聚合物功能辅助层覆盖于氧化铝结构层的悬臂梁部的外部并包裹镍电阻丝发热层，驱动电压施加于镍电阻丝发热层的悬臂梁部上。本发明利用多层膜材料不同，其热学性能及机械性能有显著差异，从而实现在小功率驱动下，输出较大的面外位移，该热驱动器结构简单而且制作工艺可靠，适于批量制造。