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公开(公告)号：CN110402180B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201880017530.3
申请日：2018-03-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明为由经压缩的Cu芯Sn壳的粉末的聚集体构成的接合用成型体(1)，在该接合用成型体的内部的闭孔及开孔这两者中存在活性剂含有物(3)，所述活性剂含有物(3)用于去除所述粉末的表面的氧化物，该接合用成型体以55～95质量％的比例含有Cu且以45～5质量％的比例含有Sn，相对于100质量％的接合用成型体以0.01～2质量％的比例含有活性剂含有物中的活性剂，该接合用成型体的厚度为20～400μm。
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公开(公告)号：CN111448643A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201980006292.0
申请日：2019-01-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的半导体模块(10)的接合层(13)夹在电子组件(14)与基板(15)之间，且由CuSn金属间化合物构成。构成为从该接合层(13)的中心部(13a)往电子组件(14)的端部(14a，14b)的接合部(13b，13c)，Sn的组成比例增加。通过如下方法制造半导体模块(10)：使含有Cu核Sn壳粉末的膏体夹在电子组件(14)与基板(15)之间，以该夹在电子组件与基板之间的状态，在不活泼气氛或还原性气氛下，对电子组件(14)和/或基板(15)施加1MPa～30MPa的压力，并且以250℃～350℃的温度加热1分钟～10分钟，以将电子组件(14)接合于基板(15)。
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公开(公告)号：CN110402180A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880017530.3
申请日：2018-03-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明为由经压缩的Cu芯Sn壳的粉末的聚集体构成的接合用成型体(1)，在该接合用成型体的内部的闭孔及开孔这两者中存在活性剂含有物(3)，所述活性剂含有物(3)用于去除所述粉末的表面的氧化物，该接合用成型体以55～95质量％的比例含有Cu且以45～5质量％的比例含有Sn，相对于100质量％的接合用成型体以0.01～2质量％的比例含有活性剂含有物中的活性剂，该接合用成型体的厚度为20～400μm。
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公开(公告)号：CN111699064A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980009209.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 金属粒子凝集体包含金属粒子及有机物。金属粒子相对于100质量％的全部金属含有70质量％以上的银或铜中的任一种或两种金属，且以20～30个数％的比例包含粒径为100nm以上且小于500nm的第1粒子，合计以80～70个数％的比例包含粒径为50nm以上且小于100nm的第2粒子及粒径小于50nm的第3粒子。并且，包覆第1粒子～第3粒子的各粒子的表面的保护膜相同。
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公开(公告)号：CN119384518A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202380046803.8
申请日：2023-06-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 公立大学法人大阪
Abstract: 该贵金属的制造方法包括：贱金属溶解工序，生成使贱金属溶解而成的贱金属溶出液及含贵金属原料；贵金属溶解工序，生成使所述含贵金属原料中所包含的所述贵金属溶出而成的贵金属溶出液；加热工序，将所述贵金属溶出液加热至30℃以上且100℃以下的范围内；贵金属吸附工序，在加热后的所述贵金属溶出液中加入酵母，使所述酵母选择性地吸附所述贵金属溶出液中所包含的贵金属离子；以及贵金属分离工序，在吸附有所述贵金属离子的所述酵母的分散液中加入还原剂，分离出经纳米粒子化的贵金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116981527A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280020923.6
申请日：2022-03-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: B22F1/102
Abstract: 由金属铜构成的核粒子的表面被由源自羧酸铜的有机分子构成的有机保护膜包覆，粒子中所包含的氧化还原电位低于铜的金属杂质的合计浓度小于10质量ppm且铜粒子在一次粒子的状态下的平均粒径大于50nm且200nm以下。在使用飞行时间二次离子质谱分析法(TOF‑SIMS)对铜粒子进行分析时，CuC2O2H‑离子的检测量相对于Cu+离子的检测量在0.02倍以上的范围，C2H3O2‑离子的检测量相对于Cu+离子的检测量在0.02倍以上的范围。
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公开(公告)号：CN112689545A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201980059356.3
申请日：2019-10-02
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的接合材料用粒子中，在铜纳米粒子表面形成有有机保护膜，BET比表面积在3.5m2/g以上且8m2/g以下的范围内，BET直径在80nm以上且200nm以下的范围内，相对于接合材料用粒子，在0.5质量％以上且2.0质量％以下的范围内包含有机保护膜。在利用飞行时间型二次离子质谱法对接合材料用粒子进行分析时，相对于Cu+离子的检测量，C3H3O3‑离子和C3H4O2‑离子各自的检测量在0.05倍以上且0.2倍以下的范围内，相对于Cu+离子的检测量，C5以上的离子的检测量在小于0.005倍的范围内。
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公开(公告)号：CN111699064B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201980009209.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 金属粒子凝集体包含金属粒子及有机物。金属粒子相对于100质量％的全部金属含有70质量％以上的银及铜中的任一种或两种金属，且以20～30个数％的比例包含粒径为100nm以上且小于500nm的第1粒子，合计以80～70个数％的比例包含粒径为50nm以上且小于100nm的第2粒子及粒径小于50nm的第3粒子。并且，包覆第1粒子～第3粒子的各粒子的表面的保护膜相同。
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公开(公告)号：CN110418692B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201880017464.X
申请日：2018-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明为由经压缩的Cu芯Sn壳粉末(2)的聚集体构成的接合用成型体(1)，在该接合用成型体的表面部及内部的开孔中存在活性剂含有物(4)，所述活性剂含有物(4)用于去除所述粉末表面的氧化物，该接合用成型体以55～95质量％的比例含有Cu且以45～5质量％的比例含有Sn，该接合用成型体的厚度为20～400μm。
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公开(公告)号：CN110418692A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201880017464.X
申请日：2018-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明为由经压缩的Cu芯Sn壳粉末(2)的聚集体构成的接合用成型体(1)，在该接合用成型体的表面部及内部的开孔中存在活性剂含有物(4)，所述活性剂含有物(4)用于去除所述粉末表面的氧化物，该接合用成型体以55～95质量％的比例含有Cu且以45～5质量％的比例含有Sn，该接合用成型体的厚度为20～400μm。
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