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公开(公告)号：CN111406220B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201880076377.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/26 , G01R31/27 , G01R31/327
Abstract: 一种建立功率半导体装置(1)中的电连接的劣化状态的方法包括：‑针对相同的温度值在两个相应电流值下测量至少两个电压降值。两个电流值严格不同，或者在晶体管的两个不同的栅极电平(G)下进行测量；‑保存所测量的值作为校准数据；‑监测所述功率半导体装置的操作条件；‑在相应与前述相同的电流值下并且在所监测的操作条件对应于与操作状态和公共温度有关的两个相应预定义的标准集合的两个相应时刻测量至少两个电压降值；‑保存至少两个值作为操作数据；‑以估计所述功率半导体装置(1)的劣化状态的方式计算数值指标。
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公开(公告)号：CN111406220A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201880076377.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/26 , G01R31/27 , G01R31/327
Abstract: 一种建立功率半导体装置(1)中的电连接的劣化状态的方法包括：-针对相同的温度值在两个相应电流值下测量至少两个电压降值。两个电流值严格不同，或者在晶体管的两个不同的栅极电平(G)下进行测量；-保存所测量的值作为校准数据；-监测所述功率半导体装置的操作条件；-在相应与前述相同的电流值下并且在所监测的操作条件对应于与操作状态和公共温度有关的两个相应预定义的标准集合的两个相应时刻测量至少两个电压降值；-保存至少两个值作为操作数据；-以估计所述功率半导体装置(1)的劣化状态的方式计算数值指标。
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公开(公告)号：CN119343607A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202280095932.1
申请日：2022-10-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种用于检测电力电子模块(1)中并联电力电子元件(11.1、11.2)之间的不匹配的方法，所述方法包括：a.响应于对所述元件的共同关断的检测，触发测量时段；b.在所述测量时段期间，测量所述元件中的至少一个元件的一系列发射极电压VeE；c.从测量中提取数据，所述数据包括在所述测量时段期间所述发射极电压VeE的局部极值的符号和/或幅值；d.从所提取的数据至少推断所述元件之间存在或不存在不匹配。
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公开(公告)号：CN118891530A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202280093737.5
申请日：2022-07-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种功率半导体模块(1)在运行服务期间的平带电压的测量方法，所述方法包括：a.向所述模块(1)施加偏置电压，使得所述模块(1)在截止状态与导通状态之间切换；b.当初始栅极‑发射极/源极电压等于模块(1)的平带电压Vfb,h时，触发从电流源(44)到模块(1)的栅极的栅极电流Ig注入；c.测量电流源(44)两端的电压Vg；d.从所测量的电流源(44)两端的电压Vg提取平带电压Vfb,h+1；e.‑当栅极‑发射极/源极电压与平带电压Vfb,h之间的绝对差变得大于预定义的限值时；或者‑当栅极电流Ig注入持续时间tinj超过预定的持续时间tmax时：停止所述栅极电流Ig注入；f.保存所提取的平带电压Vfb,h+1值。
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公开(公告)号：CN112424944B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980046808.4
申请日：2019-06-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： N·德格雷纳
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H03K17/082
Abstract: 一种功率半导体模块(1)包括：‑至少一个IGBT，其具有形成第一电极(11)的栅极G和形成第二电极(12)的发射极E，或者‑至少一个MOSFET，其具有形成第一电极(11)的栅极G和形成第二电极(12)的源极S。第一电极(11)包括制成单件的多晶硅材料。该单件部分地由监测部分(13)制成。该监测部分(13)与第二电极(12)电接触，使得在功率半导体模块(1)的操作状态下泄漏电流在第一电极(11)和第二电极(12)之间流动。监测部分(13)具有一起选择的位置、形式、尺寸和材料组成，使得在功率半导体模块(1)的操作状态期间根据其温度具有可变电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108885231A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780017064.4
申请日：2017-02-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于估计功率半导体模块(10)的损坏程度或寿命预期的方法，该功率半导体模块(10)包括在机械和电气上附接到陶瓷基板(104)的至少一个芯片(100a、100b)。陶瓷基板(104)具有压电特性，并且方法包括以下步骤：·‑控制至少一个功率芯片(100a、100b)，对至少一个功率芯片(100a、100b)的控制在陶瓷基板(104)上阐述电位的变化；·‑获得表示陶瓷基板(104)的机械变形的信息；·‑根据所获得的信息和基准信息确定是否需要执行指示损坏程度或寿命预期的通知；·‑以及如果确定步骤确定需要执行通知，则通知损坏程度或寿命预期。
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公开(公告)号：CN108603913A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008461.5
申请日：2017-01-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种对功率半导体模块的损坏程度或寿命预期进行估计的方法和装置，该功率半导体模块包括以机械方式、热方式及以电方式附接至由多个不同材料层组成的基板的至少一个管芯。本发明：-获得功率半导体模块的功率损耗，-获得功率半导体模块的至少两个不同位置的温度，-利用确定的功率损耗和获得的温度，估计功率半导体模块的至少两个不同位置之间的热模型，-根据估计的热模型和基准热模型，确定是否必须执行指示损坏程度或寿命预期的通知，-如果确定步骤确定必须执行通知，则通知损坏程度和位置或寿命预期。
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公开(公告)号：CN113474667B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202080015436.1
申请日：2020-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及用于监测功率半导体(SI)的栅极信号的方法及装置，功率半导体(SI)的栅极信号由栅极驱动器(12)提供，生成与在栅极驱动器(12)和/或功率半导体(SI)和/或联接至功率半导体(SI)的负载不存在劣化时由栅极驱动器(12)输出的信号相对应的预期信号(VGexp)；比较预期信号(VGexp)和由栅极驱动器(12)输出的信号(VGmeas)；使用预期信号(VGexp)与由栅极驱动器(12)输出的信号(VGmeas)的比较结果，来确定栅极驱动器(12)和/或功率半导体(SI)和/或联接至功率半导体(SI)的负载是否存在劣化。
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公开(公告)号：CN111758038A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201980014526.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种用于估计布线接合的功率半导体模块(1)的劣化的方法包括：a)获得劣化指标(Degrest_t‑1)；b)按照时间劣化模型估计(11)估计的劣化指标(Degrest_t)；c)获得(3)一组在线测量值(Xon_meas_t)；然后，d1)按照电气等效模型将在线测量值(Xon_meas_t)转换(13)为推论出的劣化指标(Degrmeas_t)，以及e1)计算(15)估计的和推论出的劣化指标(Degrest_t；Degrmeas_t)之间的偏差；和/或d2)将估计的劣化指标(Degrest_t)转换(13)成一组在线估计值(Xon_est_t)，以及e2)计算(15)一组在线测量值与估计值(Xon_meas_t；Xon_est_t)之间的偏差；以及f)依据计算出的偏差，将估计的劣化指标(Degrest_t)校正(17)为经校正的估计的劣化指标(Degrcorr_t)。
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公开(公告)号：CN110268486A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201780083007.6
申请日：2017-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： N·德格雷纳
IPC: H01F17/00
Abstract: 本发明涉及电感组件(100)，该电感组件包括：支撑件(1)，该支撑件具有开放通道(12)，该开放通道(12)具有直部，该直部具有底面(13)和两个侧面(14、15)；可折叠PCB(2)，从而覆盖底面和侧面的至少一部分，PCB包括多个轨道(27)，各轨道在一对连接点(28a、28b)之间电连续；磁部件(3)，该磁部件可以被容纳到装配有PCB的通道中。PCB被设置为在折叠状态下在所述通道中至少部分围绕所述磁部件的一部分，使得第一轨道的至少一个连接点电连接到第二轨道的连接点，以形成绕着磁部件的绕组并且将PCB和磁部件电感地耦合。
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