公开(公告)号：CN117855259A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311261276.0

申请日：2023-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西康一 ,  阪口浩介 ,  小西和也

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/861

Abstract: 涉及半导体装置及其制造方法。得到一种使IGBT的输入电容增加并且抑制栅极漏电流的构造的半导体装置。IGBT区域(10)内的邻接有源沟槽(11y)以及二极管区域(20)内的邻接电容调整沟槽(22x)分别设置为在俯视观察时沿Y方向延伸的条带状。多个交叉沟槽(23)分别设置为在俯视观察时沿与Y方向垂直交叉的X方向延伸的条带状。多个交叉沟槽(23)分别在俯视观察时从邻接电容调整沟槽(22x)设置到邻接有源沟槽(11y)。因而，邻接有源沟槽(11y)的栅极电极(11a)与邻接电容调整沟槽(22x)的电容调整电极(22a)经由交叉沟槽(23)内的交叉沟槽用电极(23a)电连接。

公开(公告)号：CN118943161A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410519187.X

申请日：2024-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阪口浩介 ,  曾根田真也

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明涉及半导体装置，在具备二极管区域和IGBT区域的半导体装置中，防止芯片的温度局部性变高。半导体装置具备RC－IGBT的芯片，该RC－IGBT的芯片具备作为IGBT发挥功能的IGBT区域(10)和作为二极管发挥功能的多个二极管区域(20)。在组合IGBT区域(10)和二极管区域(20)而成的区域亦即有效区域内多个二极管区域(20)被配置成岛状。若将一个二极管区域(20)的一边的长度设为WD，将相邻的二极管区域(20)的间隔设为WI，将有效区域的一边的长度设为WC，并且将芯片的厚度设为t，则满足如下关系：2t＜WD＜5t、2t＜WI＜5t、WD+WI＜WC/6。

公开(公告)号：CN119029023A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410187947.1

申请日：2024-02-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大塚翔瑠 ,  阪口浩介

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够适当地增大pn结的结面积的技术。半导体装置具备：半导体基板，其具有第一主面及第二主面；和多晶硅元件，其经由第一绝缘膜设置在第一主面上。多晶硅元件包括：第一导电型的第一区域及第二导电型的第二区域，它们设置在第一绝缘膜上；和第二导电型的第三区域，其设置在第一区域与第二区域之间，且杂质浓度比第二区域低。剖视时的第一区域的宽度相对于从第二主面朝向第一主面的方向变化。

公开(公告)号：CN118073406A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311538296.8

申请日：2023-11-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西康一 ,  阪口浩介 ,  小西和也

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L27/07

Abstract: 提供能够将埋入电极稳定地与发射极电位连接的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板，具有n型第1半导体层、其上的n型第2半导体层、其上的p型第3半导体层、第3半导体层的上层部的n型第4半导体层；多个第1沟槽栅极，其贯穿第4～第2半导体层而到达第1半导体层内；层间绝缘膜，其覆盖多个第1沟槽栅极；第1主电极，其与第4半导体层相接；以及第2主电极，其设置在与第1主电极相反侧，多个第1沟槽栅极具有下部侧的第1栅极电极和上部侧的第2栅极电极而形成2级构造，多个第1沟槽栅极在设置于主电流流动的有源区域的中央部的电极引出区域被切断，在该部分通过与第1栅极电极连接的第1电极引出部与第1主电极连接。

公开(公告)号：CN116013978A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211259168.5

申请日：2022-10-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 阪口浩介 ,  中谷贵洋 ,  西康一 ,  曾根田真也

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/331

Abstract: 目的在于得到能够抑制恢复动作时的尾电流的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：半导体衬底，其具有IGBT区域和二极管区域；第1电极，其设置于所述半导体衬底的上表面；以及第2电极，其设置于所述半导体衬底的与上表面相反侧的背面，所述二极管区域具有：n型的漂移层；p型的阳极层，其设置于所述漂移层的上表面侧；以及n型的阴极层，其设置于所述漂移层的背面侧，在所述漂移层中的比所述半导体衬底的厚度方向上的中心更靠背面侧处，设置晶体缺陷密度高于所述漂移层的其它部分且具有质子的第1寿命控制区域，所述第1寿命控制区域的施主浓度的最大值小于或等于1.0×1015/cm3。