公开(公告)号：CN119096364A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202280095218.2

申请日：2022-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西村拓真 ,  小松崎优治 ,  长峰巧弥 ,  汤川秀宪 ,  深泽彻

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具备：第1基板(100)，其具有第1绝缘基板(101)、形成于第1绝缘基板(101)的正面的第1布线图案层和多个第1正面侧焊盘、以及背面的由厚铜形成的第1基部(130)，并在第1绝缘基板(101)形成有到达第1基部(130)的正面的第1开口部(101)；第1半导体元件(10)，其固定于第1开口部(101)内；第2基板(201)，其具有第2绝缘基板(201)、形成于第2绝缘基板(201)的正面的第2布线图案层和多个第2正面侧焊盘、以及背面的由厚铜形成的第2基部230，并在第2绝缘基板(201)形成有到达第2基部230的正面的第2开口部(201)；第2半导体元件20，其固定于第2开口部(201)内；以及第3基板(300)，其对置配置在第1基板(101)与第2基板(201)之间，在背面具有通过连接部件(50)与多个第1正面侧焊盘分别连接的多个第3背面侧焊盘，在正面具有通过连接部件(70)与多个第2正面侧焊盘分别连接的多个第3正面侧焊盘。