公开(公告)号：CN1211797A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN98108469.9

申请日：1998-05-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木富夫

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/04

CPC classification number: G11C5/146 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074

Abstract: 本发明的半导体存储装置,具有正常动作方式和自更新动作方式,并备有:VBB发生电路(204),当内部电源电压(Vcc)大于规定值时,生成第1衬底电压(VBB1),而当小于时,生成绝对值更小的第2衬底电压(VBB2);位线等效电压(VBL)生成装置(205),在自更新动作方式下,当内部电源电压(Vcc)低于规定值时,输出用电阻分压后的Vcc/2的电压;4KE信号生成电路(220),在自更新动作方式下,当内部电源电压(Vcc)低于规定值时,生成用于进行4K动作的信号(4KE);及更新地址发生电路(221)。

公开(公告)号：CN1156887A

公开(公告)日：1997-08-13

申请号：CN96117919.8

申请日：1996-12-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木富夫 ,  森茂 ,  宫元崇行

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C7/1057 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22

Abstract: 在流水线脉冲串式EDO工作中，延迟电路215检测第一周期中内部列地址选通信号ZCASF从激活态到非激活态的改变，并使信号OEMB变成激活态。当写操作方式被指定且内部输出启动信号ZOEF处于激活态时，信号OEMB启动之后响应于内部列地址选通信号ZCASF的第一启动边，输出缓冲器控制信号OEM达到激活态。由于信号OEMB在信号ZCASF的第一周期中已处于激活态，响应于第二周期中信号ZCASF启动的信号OEM改变的延迟时间可缩短。

公开(公告)号：CN1113363C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98108469.9

申请日：1998-05-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木富夫

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/04

CPC classification number: G11C5/146 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074

Abstract: 本发明的半导体存储装置，具有正常动作方式和自更新动作方式，并备有：VBB发生电路(204)，当内部电源电压(Vcc)大于规定值时，生成第1衬底电压(VBB1)，而当小于时，生成绝对值更小的第2衬底电压(VBB2)；位线等效电压(VBL)生成装置(205)，在自更新动作方式下，当内部电源电压(Vcc)低于规定值时，输出用电阻分压后的Vcc/2的电压；4KE信号生成电路(220)，在自更新动作方式下，当内部电源电压(Vcc)低于规定值时，生成用于进行4K动作的信号(4KE)；及更新地址发生电路(221)。