公开(公告)号：CN119586348A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202280098295.3

申请日：2022-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福井裕 ,  富永贵亮 ,  山城祐介

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01

Abstract: 半导体装置具备：第2导电类型的第1柱区域（13），形成于被埋入有栅电极（8）的多个栅极沟槽（6）的下方；以及第1导电类型的第2柱区域（14），形成于相邻的第1柱区域（13）之间，杂质的峰值浓度比漂移层（2）高。第2柱区域（14）包括高浓度区域（14a）和设置于第2柱区域（14）的至少一方的侧部且杂质的峰值浓度比高浓度区域（14a）低的低浓度区域（14b）。

公开(公告)号：CN109478569B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201780043817.9

申请日：2017-05-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边友胜 ,  日野史郎 ,  山城祐介 ,  岩松俊明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请说明书公开的技术涉及不使工艺吞吐量或者成品率恶化，而能够抑制碳化硅半导体装置的截止状态下的绝缘破坏的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的碳化硅半导体装置具备：第1导电类型的漂移层(2)；贯通位错(TD)，贯通漂移层(2)而形成；以及第2导电类型的电场缓和区域(12)，设置于漂移层(2)的表层中的与贯通位错(TD)对应的位置。在此，电场缓和区域(12)是外延层。

公开(公告)号：CN108604600B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201680080810.X

申请日：2016-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边友胜 ,  日野史郎 ,  山城祐介 ,  岩松俊明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本申请涉及碳化硅半导体装置及其制造方法。碳化硅半导体装置具备：在SiC层30内设置的n型的漂移层2、p型的多个阱区域3、作为被阱区域3夹持的漂移层2的部分的JFET区域JR、至少覆盖JFET区域JR的栅极绝缘膜6及栅极7。栅极绝缘膜6及栅极7包含：含有与构成栅极绝缘膜6及栅极7的元素不同的元素的含有不同元素的区域10。

公开(公告)号：CN109478569A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043817.9

申请日：2017-05-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边友胜 ,  日野史郎 ,  山城祐介 ,  岩松俊明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请说明书公开的技术涉及不使工艺吞吐量或者成品率恶化，而能够抑制碳化硅半导体装置的截止状态下的绝缘破坏的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的碳化硅半导体装置具备：第1导电类型的漂移层(2)；贯通位错(TD)，贯通漂移层(2)而形成；以及第2导电类型的电场缓和区域(12)，设置于漂移层(2)的表层中的与贯通位错(TD)对应的位置。在此，电场缓和区域(12)是外延层。

公开(公告)号：CN108604600A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680080810.X

申请日：2016-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边友胜 ,  日野史郎 ,  山城祐介 ,  岩松俊明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本申请涉及碳化硅半导体装置及其制造方法。碳化硅半导体装置具备：在SiC层30内设置的n型的漂移层2、p型的多个阱区域3、作为被阱区域3夹持的漂移层2的部分的JFET区域JR、至少覆盖JFET区域JR的栅极绝缘膜6及栅极7。栅极绝缘膜6及栅极7包含：含有与构成栅极绝缘膜6及栅极7的元素不同的元素的含有不同元素的区域10。