半导体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1612359A

    公开(公告)日:2005-05-04

    申请号:CN200410081040.X

    申请日:2004-09-30

    CPC classification number: H01L29/78603 H01L29/78606

    Abstract: 本发明提供一种大电流对应型的低温多晶硅薄膜晶体管,可很大程度抑制大电流驱动时自我加热所引起的特性恶化。本发明的半导体装置在具有玻璃基板10、主动层12,以及在其上隔着栅极绝缘膜13所形成的栅极电极14的TFT中,在沟道区域12c的下方或整个主动层12的下方设置散热用底部金属层BM,而得以将驱动TFT时沟道区域12c所产生的热量散发到TFT外部为其特征。再者,本发明的半导体装置的特征是在上述构成外,底部金属层BM为与栅极电极14或主动层12的源极区域12s连接。

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