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公开(公告)号：CN1612359A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410081040.X
申请日：2004-09-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/34
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供一种大电流对应型的低温多晶硅薄膜晶体管，可很大程度抑制大电流驱动时自我加热所引起的特性恶化。本发明的半导体装置在具有玻璃基板10、主动层12，以及在其上隔着栅极绝缘膜13所形成的栅极电极14的TFT中，在沟道区域12c的下方或整个主动层12的下方设置散热用底部金属层BM，而得以将驱动TFT时沟道区域12c所产生的热量散发到TFT外部为其特征。再者，本发明的半导体装置的特征是在上述构成外，底部金属层BM为与栅极电极14或主动层12的源极区域12s连接。
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