公开(公告)号：CN1767172A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510107636.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小仓尚

IPC: H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在现有的半导体装置的制造方法中，在形成栅极氧化膜的膜厚不同的元件时，使用了保护氧化膜，故存在制造成本升高的问题。在本发明的半导体装置的制造方法中，在形成高耐压MOS晶体管的区域的外延层(5)上面堆积氧化硅膜(11)。然后，在外延层(5)上面堆积与低耐压MOS晶体管的栅极氧化膜膜厚匹配的氧化硅膜(12)。然后，通过蚀刻调节高耐压MOS晶体管上面的氧化硅膜(12)的膜厚，利用离子注入法形成P型扩散层(24、25)。通过该制造方法，可以以低成本制造栅极氧化膜的膜厚不同的元件。

公开(公告)号：CN100490096C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510108831.1

申请日：2005-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大竹诚治 ,  小仓尚

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878

Abstract: 半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置的制造方法中具有难以在偏移区域上位置精度良好地形成漏极扩散层的问题，而本发明的半导体装置的制造方法，在外延层(5)上面堆积硅氧化膜(12)、多晶硅膜(13)以及氮化硅膜(14)。在多晶硅膜(13)及氮化硅膜(14)上形成用于形成LOCOS氧化膜(22)的开口部(21)。并且，使用该开口部(21)，利用自整合技术由离子注入而形成P型扩散层(18)。之后，在开口部(21)上形成LOCOS氧化膜(22)。通过该制造方法能够在偏移区域上位置精度良好地形成用作为漏极区域的P型扩散层。

公开(公告)号：CN100345281C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200510107636.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小仓尚

IPC: H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在现有的半导体装置的制造方法中，在形成栅极氧化膜的膜厚不同的元件时，使用了保护氧化膜，故存在制造成本升高的问题。在本发明的半导体装置的制造方法中，在形成高耐压MOS晶体管的区域的外延层(5)上面堆积氧化硅膜(11)。然后，在外延层(5)上面堆积与低耐压MOS晶体管的栅极氧化膜膜厚匹配的氧化硅膜(12)。然后，通过蚀刻调节高耐压MOS晶体管上面的氧化硅膜(12)的膜厚，利用离子注入法形成P型扩散层(24、25)。通过该制造方法，可以以低成本制造栅极氧化膜的膜厚不同的元件。

公开(公告)号：CN1770410A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510108831.1

申请日：2005-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大竹诚治 ,  小仓尚

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878

Abstract: 半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置的制造方法中具有难以在偏移区域上位置精度良好地形成漏极扩散层的问题，而本发明的半导体装置的制造方法，在外延层(5)上面堆积硅氧化膜(12)、多晶硅膜(13)以及氮化硅膜(14)。在多晶硅膜(13)及氮化硅膜(14)上形成用于形成LOCOS氧化膜(22)的开口部(21)。并且，使用该开口部(21)，利用自整合技术由离子注入而形成P型扩散层(18)。之后，在开口部(21)上形成LOCOS氧化膜(22)。通过该制造方法能够在偏移区域上位置精度良好地形成用作为漏极区域的P型扩散层。

公开(公告)号：CN1767160A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510107637.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小仓尚

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L21/76213 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在现有的半导体装载的制造方法中，在形成LOCOS氧化膜后，使用LOCOS氧化膜的鸟嘴形成漏极扩散层，因此，存在漏极扩散层的位置精度差的问题。在本发明的半导体装置的制造方法中，在外延层(4)上面堆积多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。构图为在形成LOCOS氧化膜(14)的区域残留多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。而且，将多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)的台阶作为对准标记使用，形成作为漏极区域的扩散层(11)。然后，形成LOCOS氧化膜(14)。通过该制造方法，可不受LOCOS氧化膜的形状影响，而高位置精度地形成扩散层(11)。

公开(公告)号：CN100468658C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510107637.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小仓尚

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L21/76213 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在现有的半导体装载的制造方法中，在形成LOCOS氧化膜后，使用LOCOS氧化膜的鸟嘴形成漏极扩散层，因此，存在漏极扩散层的位置精度差的问题。在本发明的半导体装置的制造方法中，在外延层(4)上面堆积多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。构图为在形成LOCOS氧化膜(14)的区域残留多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。而且，将多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)的台阶作为对准标记使用，形成作为漏极区域的扩散层(11)。然后，形成LOCOS氧化膜(14)。通过该制造方法，可不受LOCOS氧化膜的形状影响，而高位置精度地形成扩散层(11)。