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公开(公告)号:CN100485915C
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200710088984.3
申请日:2007-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L21/50
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/367 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,其能提高散热性。半导体装置(10)包括:半导体基板(11)、搭载在半导体基板(11)上表面的散热器(17)及在半导体基板(11)下表面形成的配线(14)等。散热器(17)搭载在半导体基板(11)上表面,其平面大小与半导体基板(11)大体相同。另外,散热器(17)的厚度为500μm~2mm,也可以形成为比半导体基板(11)厚。通过由散热器(17)加强,半导体基板(11)可以变薄到例如50μm左右,因此,其结果可以使半导体装置(10)整体变薄。
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公开(公告)号:CN101661892A
公开(公告)日:2010-03-03
申请号:CN200910168126.9
申请日:2009-08-28
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/4842 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种树脂密封型半导体装置及其制造方法。根据本发明能制造一种防止产生基于由冲孔而形成的引线框(107)的引线毛刺(112)的树脂泄漏部(105)且可靠性高的树脂密封型半导体装置。根据本发明的树脂密封型半导体装置的制造方法,包括:将半导体芯片(9)芯片接合于引线框(1)上的岛(11)的工序;将上述半导体芯片(9)和上述引线框(1)电连接的工序;对芯片接合有上述半导体芯片(9)的上述引线框(1)进行树脂密封的工序,在该树脂密封工序的作业前,对在上述引线框(1)的树脂密封工序中由模具夹紧的区域施加比在该树脂密封工序中的夹紧压力大的按压力。
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公开(公告)号:CN101661892B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200910168126.9
申请日:2009-08-28
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/4842 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种树脂密封型半导体装置及其制造方法。根据本发明能制造一种防止产生基于由冲孔而形成的引线框(107)的引线毛刺(112)的树脂泄漏部(105)且可靠性高的树脂密封型半导体装置。根据本发明的树脂密封型半导体装置的制造方法,包括:将半导体芯片(9)芯片接合于引线框(1)上的岛(11)的工序;将上述半导体芯片(9)和上述引线框(1)电连接的工序;对芯片接合有上述半导体芯片(9)的上述引线框(1)进行树脂密封的工序,在该树脂密封工序的作业前,对在上述引线框(1)的树脂密封工序中由模具夹紧的区域施加比在该树脂密封工序中的夹紧压力大的按压力。
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公开(公告)号:CN101047155A
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN200710088984.3
申请日:2007-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L21/50
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/367 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,其能提高散热性。半导体装置(10)包括:半导体基板(11)、搭载在半导体基板(11)上表面的散热器(17)及在半导体基板(11)下表面形成的配线(14)等。散热器(17)搭载在半导体基板(11)上表面,其平面大小与半导体基板(11)大体相同。另外,散热器(17)的厚度为500μm~2mm,也可以形成为比半导体基板(11)厚。通过由散热器(17)加强,半导体基板(11)可以变薄到例如50μm左右,因此,其结果可以使半导体装置(10)整体变薄。
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