公开(公告)号：CN101047155A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710088984.3

申请日：2007-03-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 吉见英章 ,  梅本光雄 ,  恩田和美 ,  堀中和己

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/367 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其能提高散热性。半导体装置(10)包括：半导体基板(11)、搭载在半导体基板(11)上表面的散热器(17)及在半导体基板(11)下表面形成的配线(14)等。散热器(17)搭载在半导体基板(11)上表面，其平面大小与半导体基板(11)大体相同。另外，散热器(17)的厚度为500μm～2mm，也可以形成为比半导体基板(11)厚。通过由散热器(17)加强，半导体基板(11)可以变薄到例如50μm左右，因此，其结果可以使半导体装置(10)整体变薄。

公开(公告)号：CN100485915C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710088984.3

申请日：2007-03-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 吉见英章 ,  梅本光雄 ,  恩田和美 ,  堀中和己

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/367 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其能提高散热性。半导体装置(10)包括：半导体基板(11)、搭载在半导体基板(11)上表面的散热器(17)及在半导体基板(11)下表面形成的配线(14)等。散热器(17)搭载在半导体基板(11)上表面，其平面大小与半导体基板(11)大体相同。另外，散热器(17)的厚度为500μm～2mm，也可以形成为比半导体基板(11)厚。通过由散热器(17)加强，半导体基板(11)可以变薄到例如50μm左右，因此，其结果可以使半导体装置(10)整体变薄。