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公开(公告)号:CN100438004C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200610110017.8
申请日:2006-07-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种确保高的成品率且可靠性高的半导体装置及其制造方法。在半导体基板(1)的表面形成凹部(5),在绝缘性基板(6)(玻璃等)上形成与该凹部(5)对应的凸部(7)。然后,使凹部(5)与凸部(7)嵌合,经由粘接层(8)而将半导体基板(1)与绝缘性基板(7)接合。对半导体基板(1)的背面进行背部研磨,露出凸部(7),然后进行形成通孔(10)、形成贯通电极(14)、形成导电端子(18)以及切割等工序。此时,半导体基板(1)的表面及侧面被绝缘性基板(6)覆盖(保护)。另外,凸部(7)具有规定的宽度,切割在凸部(7)的中点附近进行。
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公开(公告)号:CN1905175A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200610110017.8
申请日:2006-07-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种确保高的成品率且可靠性高的半导体装置及其制造方法。在半导体基板(1)的表面形成凹部(5),在绝缘性基板(6)(玻璃等)上形成与该凹部(5)对应的凸部(7)。然后,使凹部(5)与凸部(7)嵌合,经由粘接层(8)而将半导体基板(1)与绝缘性基板(7)接合。对半导体基板(1)的背面进行背部研磨,露出凸部(7),然后进行形成通孔(10)、形成贯通电极(14)、形成导电端子(18)以及切割等工序。此时,半导体基板(1)的表面及侧面被绝缘性基板(6)覆盖(保护)。另外,凸部(7)具有规定的宽度,切割在凸部(7)的中点附近进行。
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