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公开(公告)号:CN108699706A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201780013656.9
申请日:2017-04-20
Applicant: 三洋化成工业株式会社
IPC: C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种蚀刻液,其能够从具有铜和/或铜合金以及镍和/或镍合金的基材中选择性地除去铜和/或铜合金。本发明的蚀刻液是从具有铜和/或铜合金与镍或镍合金的基材中对上述铜和/或铜合金进行蚀刻的蚀刻液,上述蚀刻液含有有机酸(A)和氧化剂(B),上述有机酸(A)的酸解离常数(pKa)为‑1.10~2.60,使用镍作为工作电极、使用以饱和KCl溶液填充的Ag/AgCl作为参比电极、使用上述蚀刻液作为电解质溶液测定的第一腐蚀电位为0.1V以上、0.5V以下。
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公开(公告)号:CN101888906A
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN200880119796.5
申请日:2008-11-17
Applicant: 三洋化成工业株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/06 , C11D1/143 , C11D1/146 , C11D1/342 , C11D1/345 , C11D3/43
Abstract: 一种电子材料用清洗剂,其中,所述清洗剂含有阴离子成分由通式(1)表示的阴离子型表面活性剂(A)、碳原子数6~18的链烯、以及选自于由通式(2)表示的有机溶剂构成的组中的1种以上的有机溶剂(B),上述(B)的SP值为6~13。R1[-(OA1)a-Q-]b (1),式(1)中,R1为碳原子数1~10的烃基,A1为碳原子数2~4的亚烷基,Q-为-COO-、-OCH2COO-、-SO3-、-OSO3-或-OPO2(OR2)-,R2为氢或碳原子数1~10的烃基,a为平均值0~20,b为1~6的整数,Q-为-COO-或-SO3-时a为0。R3[-(OA2)c-OH]d (2),式(2)中,R3为碳原子数1~12的烃基,A2为碳原子数2~4的亚烷基,c为平均值0~20,d为1~6的整数。
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公开(公告)号:CN108699706B
公开(公告)日:2021-01-01
申请号:CN201780013656.9
申请日:2017-04-20
Applicant: 三洋化成工业株式会社
IPC: C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种蚀刻液,其能够从具有铜和/或铜合金以及镍和/或镍合金的基材中选择性地除去铜和/或铜合金。本发明的蚀刻液是从具有铜和/或铜合金与镍或镍合金的基材中对上述铜和/或铜合金进行蚀刻的蚀刻液,上述蚀刻液含有有机酸(A)和氧化剂(B),上述有机酸(A)的酸解离常数(pKa)为‑1.10~2.60,使用镍作为工作电极、使用以饱和KCl溶液填充的Ag/AgCl作为参比电极、使用上述蚀刻液作为电解质溶液测定的第一腐蚀电位为0.1V以上、0.5V以下。
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公开(公告)号:CN109964546B
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN201780070786.6
申请日:2017-11-30
Applicant: 三洋化成工业株式会社
IPC: H05K3/28
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂基板预处理组合物,其能够抑制通过喷墨方式涂布抗蚀油墨后的润湿扩展,能够以高精度形成微细的抗蚀剂图案。本发明的抗蚀剂基板预处理组合物为含有两性表面活性剂(A1)、阴离子型表面活性剂(A2)和水的抗蚀剂基板预处理组合物,其特征在于,从上述两性表面活性剂(A1)的等电点的数值减去上述抗蚀剂基板预处理组合物的pH的数值而得到的数值([两性表面活性剂(A1)的等电点的数值]-[抗蚀剂基板预处理组合物的pH的数值])为‑3~4,上述两性表面活性剂(A1)的摩尔数相对于上述两性表面活性剂(A1)的摩尔数和上述阴离子型表面活性剂(A2)的摩尔数的总摩尔数的比例([两性表面活性剂(A1)的摩尔数]/([两性表面活性剂(A1)的摩尔数]+[阴离子型表面活性剂(A2)的摩尔数]))为0.1~0.9。
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公开(公告)号:CN102245750B
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN200980149608.8
申请日:2009-11-25
Applicant: 三洋化成工业株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , C11D1/008 , C11D1/12 , C11D3/349 , C11D3/361 , C11D11/0047
Abstract: 一种电子材料用清洗剂,该电子材料用清洗剂对细小的颗粒和有机物的清洗能力优良且可降低基板上的金属污染,并且可提高制造时的产率,能在短时间内清洗,使这种非常有效的高度清洗成为可能。本发明是一种电子材料用清洗剂,所述电子材料用清洗剂含有氨基磺酸(A)、分子内具有至少一个磺酸基或该磺酸基的盐的阴离子型表面活性剂(B)、螯合剂(C)以及水;优选25℃时pH为3以下;此外,优选(B)的重均分子量为1,000~2,000,000的高分子阴离子型表面活性剂(B1)。
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公开(公告)号:CN101888906B
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN200880119796.5
申请日:2008-11-17
Applicant: 三洋化成工业株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/06 , C11D1/143 , C11D1/146 , C11D1/342 , C11D1/345 , C11D3/43
Abstract: 一种电子材料用清洗剂,其中,所述清洗剂含有阴离子成分由通式(1)表示的阴离子型表面活性剂(A)、碳原子数6~18的链烯、以及选自于由通式(2)表示的有机溶剂构成的组中的1种以上的有机溶剂(B),上述(B)的SP值为6~13。R1[-(OA1)a-Q-]b (1)式(1)中,R1为碳原子数1~10的烃基,A1为碳原子数2~4的亚烷基,Q-为-COO-、-OCH2COO-、-SO3-、-OSO3-或-OPO2(OR2)-,R2为氢或碳原子数1~10的烃基,a为平均值0~20,b为1~6的整数,Q-为-COO-或-SO3-时a为0。R3[-(OA2)c-OH]d (2)式(2)中,R3为碳原子数1~12的烃基,A2为碳原子数2~4的亚烷基,c为平均值0~20,d为1~6的整数。
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公开(公告)号:CN109964546A
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201780070786.6
申请日:2017-11-30
Applicant: 三洋化成工业株式会社
IPC: H05K3/28
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂基板预处理组合物,其能够抑制通过喷墨方式涂布抗蚀油墨后的润湿扩展,能够以高精度形成微细的抗蚀剂图案。本发明的抗蚀剂基板预处理组合物为含有两性表面活性剂(A1)、阴离子型表面活性剂(A2)和水的抗蚀剂基板预处理组合物,其特征在于,从上述两性表面活性剂(A1)的等电点的数值减去上述抗蚀剂基板预处理组合物的pH的数值而得到的数值([两性表面活性剂(A1)的等电点的数值]-[抗蚀剂基板预处理组合物的pH的数值])为‑3~4,上述两性表面活性剂(A1)的摩尔数相对于上述两性表面活性剂(A1)的摩尔数和上述阴离子型表面活性剂(A2)的摩尔数的总摩尔数的比例([两性表面活性剂(A1)的摩尔数]/([两性表面活性剂(A1)的摩尔数]+[阴离子型表面活性剂(A2)的摩尔数]))为0.1~0.9。
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公开(公告)号:CN102245750A
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN200980149608.8
申请日:2009-11-25
Applicant: 三洋化成工业株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , C11D1/008 , C11D1/12 , C11D3/349 , C11D3/361 , C11D11/0047
Abstract: 一种电子材料用清洗剂,该电子材料用清洗剂对细小的颗粒和有机物的清洗能力优良且可降低基板上的金属污染,并且可提高制造时的产率,能在短时间内清洗,使这种非常有效的高度清洗成为可能。本发明是一种电子材料用清洗剂,所述电子材料用清洗剂含有氨基磺酸(A)、分子内具有至少一个磺酸基或该磺酸基的盐的阴离子型表面活性剂(B)、螯合剂(C)以及水;优选25℃时pH为3以下;此外,优选(B)的重均分子量为1,000~2,000,000的高分子阴离子型表面活性剂(B1)。
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