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公开(公告)号:CN108140635A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680055382.5
申请日:2016-08-08
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2224/83
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件,包括:电路板;安装在电路板上的至少一个半导体芯片;用于密封半导体芯片的第一密封层;以及在第一密封层上的由包含含镍的坡莫合金和碳纳米管的环氧树脂组合物形成的第二密封层,及其制造方法。