公开(公告)号：CN118538539A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410081214.X

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴善浩 ,  李载锡 ,  姜晟馨 ,  具根会

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008

Abstract: 本公开提供一种多层电容器和制造多层电容器的方法。所述多层电容器包括：电容器主体，在所述电容器主体中，介电层和内电极在第一方向上交替堆叠，以及外电极，设置在所述电容器主体上。所述外电极包括：第一层，设置在所述电容器主体上并且包括第一导电金属；以及第二层，设置在所述第一层上，包括第二导电金属和低熔点金属的合金并且具有多个孔，所述低熔点金属的熔点低于所述第二导电金属的熔点，并且在所述电容器主体在第二方向上的中央的在所述第一方向和第三方向上的截面中，所述第二层的单位面积中的孔与所述第二层的所述单位面积的面积比大于等于约30％，所述第二方向和所述第三方向垂直于所述第一方向并且彼此垂直。

公开(公告)号：CN117133546A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310017400.2

申请日：2023-01-06

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴善浩 ,  李载锡 ,  朴文秀 ,  崔畅学

IPC: H01G4/224 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括多个介电层和内电极；外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极；以及金属氧化物或准金属氧化物，设置在所述主体与所述外电极之间。所述金属氧化物或准金属氧化物包括钙(Ca)、锌(Zn)和硅(Si)的氧化物，并且还包括从由钡(Ba)、硼(B)和铝(Al)的氧化物组成的组中选择的至少一种。

公开(公告)号：CN118486548A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410160160.6

申请日：2024-02-05

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李载锡 ,  朴善浩 ,  金度沇 ,  姜晟馨

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/252

Abstract: 本公开提供了一种多层电容器及其制造方法。所述多层电容器包括电容器主体和位于所述电容器主体的外部的外电极，所述电容器主体包括介电层和内电极，其中，所述外电极包括第一层，所述第一层设置在所述电容器主体的外部并且包括第一导电金属、第二导电金属以及第一导电金属与第二导电金属的合金，所述内电极包括第三导电金属，并且所述第一层包括内层，所述内层包括合金部和扩散部，所述合金部设置在与所述介电层相接的部分并且包括所述合金，所述扩散部设置在与所述内电极相接的部分并且包括所述第一导电金属、所述第三导电金属、第一导电金属与第三导电金属的合金或它们的组合。

公开(公告)号：CN114530330A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202111362779.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李壹路 ,  金政民 ,  崔弘济 ,  李相旭 ,  朴善浩 ,  金正烈 ,  具本锡

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，内电极与介电层交替设置；以及设置在主体上的外电极，其中，外电极中的每一个包括：连接到内电极的电极层；第一金属间化合物层，设置在电极层上并且包括Cu3Sn；第二金属间化合物层，设置在第一金属间化合物层上并且包括Cu6Sn5；以及导电树脂层，设置在第二金属间化合物层上并包括导电连接部、多个金属颗粒和基体树脂，所述导电连接部包括低熔点金属，并且第一金属间化合物层的平均厚度为0.5μm至2.5μm。